| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 微盘谐振器的相关研究简介 | 第8-14页 |
| 1.1.1 不同材料的微盘谐振器 | 第8-11页 |
| 1.1.2 微盘谐振器的主要应用 | 第11-14页 |
| 1.2 用微盘谐振器实现受激布里渊散射的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 本文研究意义及主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 微盘谐振器的基本原理 | 第20-31页 |
| 2.1 微盘谐振器中的回音壁模式 | 第20-23页 |
| 2.1.1 从几何光学法看微盘中光的回音壁模式 | 第20-21页 |
| 2.1.2 从分离变量法理解回音壁模式的阶次和场解 | 第21-22页 |
| 2.1.3 微盘中回音壁模式的数值求解举例 | 第22-23页 |
| 2.2 微盘谐振器的主要性能参数 | 第23-24页 |
| 2.2.1 品质因子 | 第23页 |
| 2.2.2 自由光谱范围和精细度 | 第23-24页 |
| 2.2.3 模式体积 | 第24页 |
| 2.3 微盘谐振器的耦合 | 第24-27页 |
| 2.3.1 微盘谐振器的耦合方式 | 第24-25页 |
| 2.3.2 微盘腔与总线波导间的耦合的临界耦合条件 | 第25-27页 |
| 2.4 FDTD法介绍 | 第27-31页 |
| 2.4.1 FDTD法原理 | 第27-28页 |
| 2.4.2 数值稳定性条件和吸收边界条件 | 第28-29页 |
| 2.4.3 FDTD计算方法中Q值的计算 | 第29-31页 |
| 第三章 微盘谐振器结构对模式特性影响的计算和分析 | 第31-45页 |
| 3.1 微盘谐振器厚度和楔角对回音壁模式影响分析 | 第31-38页 |
| 3.1.1 微盘谐振器厚度对回音壁模式影响分析 | 第31-34页 |
| 3.1.2 微盘谐振器楔角对回音壁模式影响分析 | 第34-38页 |
| 3.2 台柱形底座对回音壁模式的影响分析 | 第38-45页 |
| 3.2.1 带有台柱形底座的微盘谐振器的计算模型 | 第38页 |
| 3.2.2 底座倾角对谐振波长和Q值的影响分析 | 第38-39页 |
| 3.2.3 底座顶部半径及材料对谐振波长和Q值的影响 | 第39-42页 |
| 3.2.4 底座高度对谐振波长和Q值的影响 | 第42-45页 |
| 第四章 用于实现SBS的氮化硅微盘设计和二氧化硅微盘制备 | 第45-55页 |
| 4.1 受激布里渊散射简介 | 第45-47页 |
| 4.2 用于实现SBS的氮化硅微盘谐振器设计 | 第47-50页 |
| 4.2.1 微盘设计和回音壁模式谐振频率计算 | 第47-48页 |
| 4.2.2 微盘中机械模的计算 | 第48-50页 |
| 4.3 二氧化硅微盘谐振器的制备 | 第50-55页 |
| 第五章 SOI片上微盘谐振器的设计与测试 | 第55-67页 |
| 5.1 SOI片上微盘谐振器的设计 | 第55-61页 |
| 5.1.1 微盘谐振器尺寸的选择 | 第55页 |
| 5.1.2 总线波导的设计 | 第55-57页 |
| 5.1.3 总线波导与微盘耦合间距的设计 | 第57-58页 |
| 5.1.4 光栅耦合器的设计 | 第58-61页 |
| 5.2 SOI片上微盘谐振器的加工和形貌观测 | 第61-62页 |
| 5.3 SOI片上微盘谐振器的测试 | 第62-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72页 |
