| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| Acknowledgement | 第9-10页 |
| Biographical Sketch | 第10-11页 |
| Dedication | 第11-20页 |
| List of Abbreviations | 第20-23页 |
| Chapter 1 Introduction | 第23-34页 |
| 1.1 Background | 第23-24页 |
| 1.2 Motivation | 第24-25页 |
| 1.3 Compromise between Linearity and efficiency | 第25-26页 |
| 1.4 Linearity at Device Level and Circuit Level | 第26-27页 |
| 1.5 Future Possibilities and Challenges | 第27-29页 |
| 1.6 Why we need Power Amplifiers? | 第29-31页 |
| 1.7 Scope of work | 第31-32页 |
| 1.8 Innovation of this Research | 第32-33页 |
| 1.9 Thesis Organization | 第33-34页 |
| Chapter 2 Background Study | 第34-57页 |
| 2.1 Introduction | 第34-42页 |
| 2.1.1 Class-A Amplifier | 第35-36页 |
| 2.1.2 Class-B Amplifier | 第36-37页 |
| 2.1.3 Class-AB Amplifier | 第37-39页 |
| 2.1.4 Class-C Amplifier | 第39-40页 |
| 2.1.5 Balanced Amplifier | 第40-41页 |
| 2.1.6 Harmonically Tuned Power Amplifiers | 第41-42页 |
| 2.2 Switched Classes | 第42-47页 |
| 2.2.1 Class-D Amplifier | 第42-43页 |
| 2.2.2 Class-E Amplifier | 第43-47页 |
| 2.3 Performance Parameters for RF Amplifiers | 第47-54页 |
| 2.3.1 Output Power | 第47页 |
| 2.3.2 Power Gain | 第47-48页 |
| 2.3.3 Drain Efficiency | 第48页 |
| 2.3.4 Power Added Efficiency | 第48页 |
| 2.3.5 Output Power Capability | 第48页 |
| 2.3.6 Rollet Stability Factor | 第48-49页 |
| 2.3.7 Linearity | 第49-50页 |
| 2.3.8 Intermodulation Distortion and Third Order Intercept Point(IP3) | 第50-52页 |
| 2.3.9 Error Vector Magnitude(EVM) | 第52-53页 |
| 2.3.10 Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) | 第53-54页 |
| 2.3.11 AM PM Distortion | 第54页 |
| 2.4 Low Noise Amplifiers | 第54-57页 |
| Chapter 3 A PHEMT based Wideband Low Noise Amplifier (LNA) for Wireless Applications | 第57-74页 |
| 3.1 Introduction | 第57-60页 |
| 3.1.1 Noise Figure and Gain | 第58-60页 |
| 3.1.2 S-Parameters | 第60页 |
| 3.2 Design and Analysis | 第60-72页 |
| 3.2.1 Device Selection | 第61-62页 |
| 3.2.2 Noise Analysis | 第62-63页 |
| 3.2.3 Biasing Network | 第63-64页 |
| 3.2.4 Stability Consideration | 第64-65页 |
| 3.2.5 Input output matching network design | 第65-67页 |
| 3.2.6 Noise Figure | 第67-68页 |
| 3.2.7 Gain of Amplifier | 第68-69页 |
| 3.2.8 Voltage Standing Wave ratio | 第69-70页 |
| 3.2.9 Input Output return losses | 第70页 |
| 3.2.10 Design and results: | 第70-72页 |
| 3.3 Comparison and design parameters as compared to other designs | 第72-73页 |
| 3.4 Conclusion | 第73-74页 |
| Chapter 4 X-band Power Amplifier for Next Generation Networks Based on MESFET | 第74-89页 |
| 4.1 Introduction | 第74-76页 |
| 4.2 MESFET Architecture Description | 第76-78页 |
| 4.3 Modeling and Simulation of MESFET | 第78-82页 |
| 4.3.1 Circuit Analysis and Design | 第80-82页 |
| 4.4 Simulation Results | 第82-85页 |
| 4.4.1 Stability Factor | 第82-83页 |
| 4.4.2 Input and Output Return Losses | 第83-84页 |
| 4.4.3 Gain | 第84-85页 |
| 4.5 Comparisons and design parameters as compared to other designs | 第85-86页 |
| 4.6 Layout and final fabricated design | 第86-88页 |
| 4.7 Conclusion | 第88-89页 |
| Chapter 5 A Novel Two Stage Broadband Doherty Power Amplifier for Wireless Applications | 第89-104页 |
| 5.1 Introduction | 第90-91页 |
| 5.2 Doherty Amplifier | 第91-94页 |
| 5.3 Conventional Doherty Operating Principle: | 第94-96页 |
| 5.4 Proposed Doherty Architecture | 第96-100页 |
| 5.5 Comparison and the Measurement Results | 第100-101页 |
| 5.6 Summary and Conclusion | 第101-104页 |
| Chapter 6 Summary and Future Work | 第104-108页 |
| 6.1 Research Summary | 第104-107页 |
| 6.2 Future Work | 第107-108页 |
| References | 第108-125页 |
| Author's Papers | 第125页 |
