| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-31页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第14-16页 |
| 1.2 纳米锗材料及器件研究现状 | 第16-23页 |
| 1.2.1 纳米锗薄膜的制备 | 第17-20页 |
| 1.2.2 纳米锗器件的研究现状 | 第20-23页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第23-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 氢化非晶锗薄膜的制备及其性质研究 | 第31-41页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 氢化非晶锗薄膜的制备与表征 | 第31-32页 |
| 2.3 氢化非晶锗薄膜的形貌及结构特性 | 第32-34页 |
| 2.4 氢化非晶锗薄膜的光电特性 | 第34-39页 |
| 2.4.1 氢化非晶锗薄膜的光吸收特性 | 第34-35页 |
| 2.4.2 氢化非晶锗薄膜的电学特性 | 第35-37页 |
| 2.4.3 氢化非晶锗薄膜的光致发光特性 | 第37-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 热退火制备纳米锗及纳米锗/氮化硅多层膜 | 第41-70页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 样品的制备与表征 | 第42-43页 |
| 3.2.1 纳米锗单层膜的制备 | 第42页 |
| 3.2.2 纳米锗/氮化硅多层膜的制备 | 第42-43页 |
| 3.2.3 样品的表征 | 第43页 |
| 3.3 热退火制备纳米锗单层膜 | 第43-53页 |
| 3.3.1 结构特性表征 | 第43-46页 |
| 3.3.2 光学特性研究 | 第46-48页 |
| 3.3.3 电学特性研究 | 第48-51页 |
| 3.3.4 纳米锗的光致发光特性 | 第51-53页 |
| 3.4 纳米锗/氮化硅多层结构薄膜 | 第53-65页 |
| 3.4.1 形貌及微结构表征 | 第53-56页 |
| 3.4.2 光吸收特性 | 第56-58页 |
| 3.4.3 纳米锗锗/氮化硅多层膜/n-Si异质结的I-V特性 | 第58-59页 |
| 3.4.4 纳米锗/氮化硅多层膜的输运特性 | 第59-60页 |
| 3.4.5 纳米锗多层膜的光致发光特性 | 第60-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 激光诱导晶化制备纳米锗单层膜与多层膜及其结构和光电性质研究 | 第70-87页 |
| 4.1 引言 | 第70-71页 |
| 4.2 纳米锗单层膜与多层膜样品的制备与表征 | 第71-73页 |
| 4.2.1 激光晶化制备纳米锗单层膜 | 第71-72页 |
| 4.2.2 激光晶化制备纳米锗/氮化硅多层膜 | 第72页 |
| 4.2.3 样品的测试与表征 | 第72-73页 |
| 4.3 激光晶化制备纳米锗单层膜的研究 | 第73-79页 |
| 4.3.1 微结构特性 | 第73-74页 |
| 4.3.2 光学特性研究 | 第74-75页 |
| 4.3.3 载流子输运特性研究 | 第75-79页 |
| 4.4 激光晶化制备尺寸可控的纳米锗/氮化硅多层膜 | 第79-83页 |
| 4.5 比较与总结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第五章 基于纳米锗薄膜的浮栅存储器和光探测器应用探索 | 第87-103页 |
| 5.1 引言 | 第87-88页 |
| 5.2 基于纳米锗的存储特性研究 | 第88-93页 |
| 5.2.1 样品制备 | 第88-89页 |
| 5.2.2 存储特性研究 | 第89-93页 |
| 5.3 基于纳米锗的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构光探测器 | 第93-99页 |
| 5.3.1 样品制备 | 第93页 |
| 5.3.2 探测器性能的初步研究 | 第93-99页 |
| 5.4 本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 第六章 总结及展望 | 第103-108页 |
| 6.1 结论 | 第103-105页 |
| 6.2 存在的问题 | 第105-106页 |
| 6.3 展望 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第110-112页 |
