| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-67页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 透射电子显微技术及原位透射电子显微技术介绍 | 第14-23页 |
| 1.2.1 透射电子显微技术简介 | 第14-19页 |
| 1.2.2 原位透射电子显微技术简介 | 第19-23页 |
| 1.3 垂直阵列一维碳纳米结构介绍 | 第23-35页 |
| 1.3.1 碳纳米管和碳纳米纤维的结构 | 第23-25页 |
| 1.3.2 一维碳纳米结构的制备方法 | 第25页 |
| 1.3.3 PECVD法合成垂直阵列一维碳纳米结构简介 | 第25-27页 |
| 1.3.4 dc-PECVD法合成一维碳纳米结构简介及其影响因素 | 第27-30页 |
| 1.3.5 垂直阵列一维碳纳米结构的生长机理 | 第30-33页 |
| 1.3.6 垂直阵列一维碳纳米结构的应用 | 第33-35页 |
| 1.4 相变纳米材料介绍 | 第35-50页 |
| 1.4.1 相变存储器的基本原理 | 第36-37页 |
| 1.4.2 相变存储器件分类 | 第37-38页 |
| 1.4.3 薄膜与纳米线相变存储器 | 第38-39页 |
| 1.4.4 相变材料的需求和种类 | 第39-40页 |
| 1.4.5 硒化铟纳米线相变材料简介 | 第40-50页 |
| 1.5 本课题的立题依据和主要研究内容 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-67页 |
| 第二章 一维碳纳米材料形貌对其电子结构和电荷输运性质影响的研究 | 第67-84页 |
| 2.1 引言 | 第67-68页 |
| 2.2 实验部分 | 第68-69页 |
| 2.2.1 CNT和CNF的合成 | 第68页 |
| 2.2.2 CNT和CNF的形貌、电子结构和电荷输运性质的表征 | 第68-69页 |
| 2.3 金属基底和催化剂对一维碳纳米材料生长的影响 | 第69-72页 |
| 2.4 一维碳纳米材料形貌、电子结构与电荷输运性质的关系 | 第72-80页 |
| 2.4.1 Ni催化剂与不同金属基底合成的一维碳纳米材料的形貌表征 | 第72-73页 |
| 2.4.2 Ni催化剂合成的一维碳纳米材料的电子结构研究 | 第73-74页 |
| 2.4.3 Fe催化剂与不同金属基底合成的一维碳纳米材料的形貌表征 | 第74-75页 |
| 2.4.4 Fe催化剂合成的一维碳纳米材料的电子结构研究 | 第75-76页 |
| 2.4.5 CNF和CNT的电荷输运性质研究 | 第76-80页 |
| 2.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第三章 扫描透射X射线显微术研究催化剂在碳纳米管和碳纳米纤维生长中的演化 | 第84-96页 |
| 3.1 引言 | 第84页 |
| 3.2 实验部分 | 第84-85页 |
| 3.2.1 CNT和CNF的合成 | 第84-85页 |
| 3.2.2 STXM表征 | 第85页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第85-92页 |
| 3.3.1 Fe催化剂在CNT生长中的变化 | 第85-89页 |
| 3.3.2 Ni催化剂在CNF生长中的变化 | 第89-92页 |
| 3.4 本章小结 | 第92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 第四章 In_2Se_3纳米线电致相变行为的原位研究 | 第96-124页 |
| 4.1 引言 | 第96-97页 |
| 4.2 实验部分 | 第97-102页 |
| 4.2.1 实验试剂与耗材 | 第97页 |
| 4.2.2 一维相变纳米线的合成 | 第97-99页 |
| 4.2.3 In_2Se_3纳米线原位电学实验 | 第99-101页 |
| 4.2.4 实验设备 | 第101-102页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第102-119页 |
| 4.3.1 CVD法合成In_2Se_3纳米线及其形貌结构表征 | 第102-103页 |
| 4.3.2 In_2Se_3纳米线电致相变过程 | 第103-119页 |
| 本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-124页 |
| 第五章 一维相变纳米材料的成分与直径对其熔点与电学性质的影响研究 | 第124-132页 |
| 5.1 引言 | 第124页 |
| 5.2 实验部分 | 第124页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第124-129页 |
| 5.3.1 组份对In_xSe_y纳米线电学性质的影响 | 第124-125页 |
| 5.3.2 单根In_2Se_3纳米线熔点的测量 | 第125-126页 |
| 5.3.3 ZnTe纳米线熔点的尺寸效应研究 | 第126-127页 |
| 5.3.4 成分和尺寸对Ge_xSb_y纳米线熔点的影响 | 第127-129页 |
| 5.4 本章小结 | 第129页 |
| 参考文献 | 第129-132页 |
| 第六章 α-Fe_2O_3钠插入的原位研究 | 第132-142页 |
| 6.1 引言 | 第132页 |
| 6.2 α-Fe_2O_3简介 | 第132-134页 |
| 6.3 实验部分 | 第134-135页 |
| 6.4 实验结果与讨论 | 第135-139页 |
| 6.5 本章小结 | 第139页 |
| 参考文献 | 第139-142页 |
| 第七章 全文总结和展望 | 第142-144页 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 | 第144-148页 |
| 发表的学术论文 | 第144-146页 |
| 参加的学术会议 | 第146-148页 |
| 致谢 | 第148页 |
