摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 引言 | 第19-34页 |
1.1 粒子物理中的标准模型 | 第19-21页 |
1.2 标准模型中的味物理简介 | 第21-26页 |
1.2.1 CKM矩阵 | 第21页 |
1.2.2 CKM矩阵参数化 | 第21-23页 |
1.2.3 幺正三角形 | 第23-25页 |
1.2.4 CP破缺 | 第25-26页 |
1.2.5 味道的对称性 | 第26页 |
1.3 粲重子Λ_c~+的衰变 | 第26-32页 |
1.3.1 Λ_c~+衰变理论 | 第28-31页 |
1.3.2 Λ_c~+实验现状 | 第31-32页 |
1.4 选题背景 | 第32页 |
1.5 论文结构 | 第32-34页 |
第2章 实验装置 | 第34-46页 |
2.1 北京正负电子对撞机(BEPCⅡ) | 第34-35页 |
2.2 北京谱仪Ⅲ | 第35-43页 |
2.2.1 束流管 | 第38页 |
2.2.2 主漂移室 | 第38-40页 |
2.2.3 飞行时间计数器 | 第40页 |
2.2.4 电磁量能器 | 第40页 |
2.2.5 μ子计数器 | 第40-41页 |
2.2.6 超导磁铁 | 第41页 |
2.2.7 触发系统 | 第41-42页 |
2.2.8 数据获取系统 | 第42页 |
2.2.9 控制系统 | 第42-43页 |
2.3 离线软件系统 | 第43-45页 |
2.3.1 模拟系统 | 第44页 |
2.3.2 刻度系统 | 第44页 |
2.3.3 重建系统 | 第44-45页 |
2.4 本章小结 | 第45-46页 |
第3章 Λ_c~+→pπ~+π~-和Λ_c~+→pK~+K~-的分支比测量 | 第46-68页 |
3.1 实验方法 | 第46-47页 |
3.2 数据样本和软件框架 | 第47-48页 |
3.3 事例选择条件 | 第48-50页 |
3.3.1 初选条件 | 第48-49页 |
3.3.2 Λ_c~+信号选择 | 第49-50页 |
3.3.3 Λ_c~+→pπ~+π~-中卡比玻增强过程的本底 | 第50页 |
3.4 信号提取和本底分析 | 第50-56页 |
3.4.1 信号提取 | 第50页 |
3.4.2 本底分析 | 第50-53页 |
3.4.3 拟合过程 | 第53-56页 |
3.5 中间共振态的研究 | 第56-58页 |
3.5.1 Λ_c~+→pK~-π~+ | 第57页 |
3.5.2 Λ_c~+→pK~+π~- | 第57-58页 |
3.6 分支比的测量 | 第58-59页 |
3.7 系统误差 | 第59-64页 |
3.8 本章小结 | 第64-68页 |
第4章 D~0→π~0π~0π~0,π~0π~0η,π~0ηη和ηηη的分支比测量 | 第68-91页 |
4.1 数据样本和软件框架 | 第68-70页 |
4.2 分析方法 | 第70-71页 |
4.3 事例初选条件 | 第71-72页 |
4.4 单标事例 | 第72-75页 |
4.4.1 单标记事例产额和效率 | 第74-75页 |
4.5 双标事例 | 第75-85页 |
4.5.1 选择条件 | 第75页 |
4.5.2 其他条件 | 第75-80页 |
4.5.3 本底分析 | 第80-82页 |
4.5.4 双标产额和效率 | 第82-84页 |
4.5.5 分支比测量 | 第84-85页 |
4.5.6 D~0→ηηη的分支比上限 | 第85页 |
4.6 系统误差 | 第85-90页 |
4.6.1 考虑系统误差的D~0→ηηη的上限 | 第89-90页 |
4.7 本章小结 | 第90-91页 |
第5章 D~0→K_S~0π~+π~-π~0的分波分析 | 第91-103页 |
5.1 数据样本和软件框架 | 第91页 |
5.2 事例选择 | 第91-94页 |
5.3 本底分析 | 第94-95页 |
5.4 分波分析方法 | 第95-100页 |
5.4.1 Likelihood构造 | 第96-99页 |
5.4.2 拟合比份及其统计误差 | 第99-100页 |
5.5 分波分析结果 | 第100页 |
5.6 本章小结 | 第100-103页 |
第6章 总结和展望 | 第103-106页 |
6.1 BESⅢ实验上单卡比玻压低衰变Λ_c~+→pπ~+π~-和Λ_c~+→ pK~+K~-的测量 | 第103-104页 |
6.2 单卡比玻压低衰变D~0→π~0π~0π~0,π~0π~0η, π~0ηη和ηηη的测量 | 第104页 |
6.3 D~0→ K_S~0π~+π~-π~0的分波分析 | 第104-106页 |
参考文献 | 第106-111页 |
附录A 附录 | 第111-115页 |
致谢 | 第115-116页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第116页 |