摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-27页 |
1.1 课题背景与意义 | 第10-11页 |
1.2 耦合机构的国内外研究现状 | 第11-20页 |
1.2.1 静态耦合机构研究现状 | 第11-12页 |
1.2.2 动态阵列式耦合机构研究现状 | 第12-13页 |
1.2.3 动态导轨式耦合机构研究现状 | 第13-17页 |
1.2.4 三相动态耦合机构的研究现状 | 第17-19页 |
1.2.5 耦合机构研究现状综述 | 第19-20页 |
1.3 耦合机构中电磁兼容技术研究现状 | 第20-25页 |
1.3.1 被动屏蔽技术研究现状 | 第20-23页 |
1.3.2 电磁兼容防护标准 | 第23-24页 |
1.3.3 电磁兼容技术研究现状综述 | 第24-25页 |
1.4 课题的主要研究内容 | 第25-27页 |
第2章 三相Ⅰ型耦合机构的结构与补偿网络研究 | 第27-53页 |
2.1 引言 | 第27页 |
2.2 三相Ⅰ型耦合机构的工作原理 | 第27-30页 |
2.3 耦合机构的结构特性 | 第30-42页 |
2.3.1 磁芯材料的选择 | 第30-31页 |
2.3.2 接收线圈尺寸与耦合机构性能的关系 | 第31-32页 |
2.3.3 发射线圈绕线方式 | 第32-35页 |
2.3.4 发射线圈绕线位置对耦合性能的影响 | 第35-36页 |
2.3.5 导轨磁芯结构参数对耦合性能的影响 | 第36-40页 |
2.3.6 接收端磁芯的结构特性 | 第40-42页 |
2.3.7 极距与传输距离的关系 | 第42页 |
2.4 三相耦合机构的补偿网络 | 第42-51页 |
2.4.1 接收端补偿网络设计 | 第43-45页 |
2.4.2 发射端三相补偿网络 | 第45-51页 |
2.4.3 相间互感不对称对系统的影响分析 | 第51页 |
2.5 本章小结 | 第51-53页 |
第3章 三相Ⅰ型耦合机构的设计方法研究 | 第53-72页 |
3.1 引言 | 第53页 |
3.2 耦合机构的选型 | 第53-54页 |
3.3 三相Ⅰ型耦合机构的设计方法 | 第54-58页 |
3.3.1 结构设计方法 | 第55-56页 |
3.3.2 补偿网络设计 | 第56页 |
3.3.3 参数设计方法 | 第56-58页 |
3.4 三相Ⅰ型耦合机构设计 | 第58-71页 |
3.4.1 结构设计 | 第58-62页 |
3.4.2 补偿网络设计 | 第62页 |
3.4.3 参数设计 | 第62-66页 |
3.4.4 损耗计算与校验 | 第66-71页 |
3.5 本章小结 | 第71-72页 |
第4章 耦合机构的电磁安全性研究 | 第72-87页 |
4.1 引言 | 第72页 |
4.2 耦合机构的电磁辐射类型 | 第72-74页 |
4.3 导电金属屏蔽 | 第74-82页 |
4.3.1 导电金属的屏蔽效能 | 第74-76页 |
4.3.2 铝板对耦合性能的影响 | 第76-78页 |
4.3.3 屏蔽位置对屏蔽效能的影响 | 第78-80页 |
4.3.4 孔隙对屏蔽效能的影响分析 | 第80-82页 |
4.4 导磁材料屏蔽 | 第82-85页 |
4.4.1 导磁材料的屏蔽效能 | 第82-83页 |
4.4.2 导磁材料位置对屏蔽效能的影响分析 | 第83-84页 |
4.4.3 接收端平板型磁芯的屏蔽效能 | 第84-85页 |
4.5 车身底盘的影响 | 第85-86页 |
4.6 本章小结 | 第86-87页 |
第5章 平台搭建及实验验证 | 第87-97页 |
5.1 引言 | 第87页 |
5.2 实验平台搭建 | 第87-90页 |
5.2.1 三相Ⅰ型耦合机构 | 第87-88页 |
5.2.2 三相高频逆变源及副边整流电路 | 第88-89页 |
5.2.3 相间互感匹配 | 第89-90页 |
5.3 补偿网络配谐 | 第90-92页 |
5.3.1 补偿电感配谐 | 第90-92页 |
5.3.2 线圈自感配谐 | 第92页 |
5.4 耦合机构性能实验验证 | 第92-96页 |
5.4.1 耦合机构的电路特性验证 | 第92-94页 |
5.4.2 耦合机构设计方法验证 | 第94-95页 |
5.4.3 动态无线供电过程中输出功率稳定性的验证 | 第95-96页 |
5.5 本章小结 | 第96-97页 |
结论 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-102页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第102-103页 |
哈尔滨工业大学学位论文原创性声明和使用权限 | 第103-104页 |
致谢 | 第104页 |