| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 SiC MOSFET器件模型研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 软开关高功率密度变换器研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 SiCMOSFET模型建立 | 第16-31页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 SiC MOSFET静态特性建模 | 第16-20页 |
| 2.3 SiC MOSFET动态特性建模 | 第20-21页 |
| 2.4 SiC MOSFET温度特性建模 | 第21-24页 |
| 2.5 SiC MOSFET损耗特性建模 | 第24-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 SiC MOSFET FSBB变换器研究 | 第31-43页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 四开关Buck-Boost(FSBB)变换器的拓扑结构和特点 | 第31-35页 |
| 3.2.1 FSBB变换器的拓扑结构 | 第31-32页 |
| 3.2.2 FSBB变换器的特点 | 第32-35页 |
| 3.3 FSBB变换器损耗分析 | 第35-39页 |
| 3.3.1 主开关管Q_1损耗 | 第37-38页 |
| 3.3.2 同步整流管Q_2损耗 | 第38页 |
| 3.3.3 输出滤波电感损耗 | 第38-39页 |
| 3.3.4 滤波电容损耗 | 第39页 |
| 3.4 SiC MOSFET与普通Si MOSFET的损耗对比 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 FSBB变换器高效率调制方法研究 | 第43-63页 |
| 4.1 引言 | 第43-45页 |
| 4.2 FSBB变换器软开关调制模式 | 第45-49页 |
| 4.2.1 同步单模式软开关调制 | 第45-47页 |
| 4.2.2 同步两模式软开关调制 | 第47-49页 |
| 4.3 FSBB变换器硬开关调制模式 | 第49-59页 |
| 4.3.1 单模式交错调制 | 第49-50页 |
| 4.3.2 单模式两沿调制 | 第50-52页 |
| 4.3.3 两模式两沿调制 | 第52-55页 |
| 4.3.4 三模式两沿调制 | 第55-59页 |
| 4.4 开关频率对变换器的影响 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第5章 SiC MOSFET FSBB变换器仿真及实验验证 | 第63-73页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 FSBB变换器样机的软硬件设计及电路仿真 | 第63-66页 |
| 5.2.1 硬件参数设计及选型 | 第63-64页 |
| 5.2.2 软件设计 | 第64-65页 |
| 5.2.3 FSBB变换器的三模式仿真 | 第65-66页 |
| 5.3 实验结果及分析 | 第66-73页 |
| 5.3.1 FSBB变换器实验平台搭建 | 第66-67页 |
| 5.3.2 不同开关频率三模式功能验证 | 第67-72页 |
| 5.3.3 不同开关频率效率测试 | 第72-73页 |
| 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读学位期间的学术成果 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
