| 中文摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 氮化物的性能 | 第8-9页 |
| 1.2 纤锌矿GaN量子阱的研究 | 第9-10页 |
| 1.3 抛物量子阱和三角量子阱的研究 | 第10-12页 |
| 1.4 流体静压力对半导体材料的压力效应 | 第12-13页 |
| 1.5 研究内容及意义 | 第13-14页 |
| 第二章 理论推导 | 第14-22页 |
| 2.1 极化子哈密顿量 | 第14-17页 |
| 2.2 理论推导 | 第17-22页 |
| 第三章 结果分析与讨论 | 第22-31页 |
| 3.1 数值计算与讨论 | 第22-29页 |
| 3.2 小结 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |
| 硕士期间科研情况 | 第40页 |