| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管概述 | 第10-12页 |
| 1.3 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)概述 | 第12-18页 |
| 1.3.1 a-IGZO薄膜晶体管的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.2 a-IGZO薄膜材料介绍 | 第14-15页 |
| 1.3.3 a-IGZO薄膜制备方法 | 第15-16页 |
| 1.3.4 a-IGZO的优势及应用领域 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 a-IGZO薄膜晶体管器件理论及表征手段 | 第19-29页 |
| 2.1 a-IGZO薄膜晶体管的结构 | 第19-20页 |
| 2.2 a-IGZO薄膜晶体管的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 a-IGZO薄膜晶体管的基本特性 | 第21-24页 |
| 2.3.1 载流子迁移率 | 第21-22页 |
| 2.3.2 开关比 | 第22-23页 |
| 2.3.3 阈值电压 | 第23页 |
| 2.3.4 亚阈值摆幅 | 第23-24页 |
| 2.4 a-IGZO薄膜晶体管的测试平台 | 第24-28页 |
| 2.4.1 台阶仪 | 第24-25页 |
| 2.4.2 紫外可见分光光度计 | 第25页 |
| 2.4.3 四探针测试仪 | 第25-27页 |
| 2.4.4 X射线衍射仪 | 第27页 |
| 2.4.5 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.4.6 Keithley4200测试仪 | 第28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 不同绝缘层工艺下a-IGZO薄膜晶体管的性能研究 | 第29-42页 |
| 3.1 ITO玻璃基板的清洗 | 第29页 |
| 3.2 栅绝缘层的制备及薄膜形貌测试 | 第29-34页 |
| 3.2.1 PMMA薄膜的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.2 PMMA薄膜的形貌测试 | 第31-32页 |
| 3.2.3 氧化铝薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 3.2.4 氧化铝薄膜的形貌测试 | 第33-34页 |
| 3.3 活性层a-IGZO薄膜的制备及晶化测试 | 第34-36页 |
| 3.3.1 a-IGZO薄膜的制备 | 第34-35页 |
| 3.3.2 IGZO晶化性测试分析 | 第35-36页 |
| 3.4 源漏电极的制备 | 第36-37页 |
| 3.5 绝缘层工艺对a-IGZOTFT的性能影响 | 第37-41页 |
| 3.5.1 不同Al2O3制备工艺对器件性能影响 | 第38-40页 |
| 3.5.2 不同PMMA制备工艺对器件性能影响 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 梯度掺杂a-IGZO薄膜晶体管的性能研究 | 第42-63页 |
| 4.1 梯度掺杂a-IGZOTFT结构设计 | 第42-43页 |
| 4.2 梯度掺杂a-IGZOTFT制备流程 | 第43-44页 |
| 4.3 单层掺杂活性层a-IGZOTFT的性能研究 | 第44-52页 |
| 4.3.1 不同氧分压下a-IGZO薄膜透过率分析 | 第44-45页 |
| 4.3.2 不同氧分压下a-IGZO薄膜导电性能分析 | 第45-48页 |
| 4.3.3 不同氧分压下a-IGZOTFT电学性能分析 | 第48-52页 |
| 4.4 双层梯度掺杂活性层a-IGZOTFT的性能研究 | 第52-56页 |
| 4.4.1 双层梯度掺杂活性层a-IGZOTFT的结构设计 | 第52-53页 |
| 4.4.2 双层梯度掺杂a-IGZOTFT的电学性能分析 | 第53-56页 |
| 4.5 三层梯度掺杂活性层a-IGZOTFT的性能研究 | 第56-61页 |
| 4.5.1 三层梯度掺杂活性层a-IGZOTFT的结构设计 | 第56-57页 |
| 4.5.2 BL层和ML层膜厚对a-IGZOTFT的性能影响 | 第57-59页 |
| 4.5.3 后退火对三层梯度掺杂IGZOTFT的性能影响 | 第59-60页 |
| 4.5.4 ML层掺杂对a-IGZOTFT的性能影响 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 课题总结 | 第63-64页 |
| 5.2 课题展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第73页 |
