| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第15-35页 |
| 1.1 研究背景 | 第15页 |
| 1.2 太阳能电池简介 | 第15-19页 |
| 1.2.1 太阳能电池的原理 | 第15-16页 |
| 1.2.2 商用太阳能电池 | 第16-17页 |
| 1.2.3 太阳能电池新技术 | 第17-19页 |
| 1.3 硫属化合物光电材料 | 第19-27页 |
| 1.3.1 CdTe | 第19-20页 |
| 1.3.2 铜基硫属化合物光伏材料 | 第20-22页 |
| 1.3.3 铁基硫属化合物光伏材料 | 第22-24页 |
| 1.3.4 理想光电材料的选取标准 | 第24-26页 |
| 1.3.5 探索新型硫属化合物吸光材料的意义 | 第26-27页 |
| 1.4 硫属化合物简介 | 第27-29页 |
| 1.4.1 硫属元素简介 | 第27页 |
| 1.4.2 硫属元素配位特点 | 第27页 |
| 1.4.3 硫属化合物的多样性 | 第27-28页 |
| 1.4.4 新型硫属化合物的探索方向 | 第28-29页 |
| 1.5 硫属化合物的合成方法 | 第29-31页 |
| 1.5.1 固相法 | 第29-30页 |
| 1.5.2 水热(溶剂热)法 | 第30页 |
| 1.5.3 助熔剂法简介 | 第30-31页 |
| 1.5.4 其他合成方法 | 第31页 |
| 1.6 解决的关键问题以及思路 | 第31-35页 |
| 第2章 实验中所使用的试剂、仪器、表征及实验方法 | 第35-40页 |
| 2.1 实验试剂 | 第35-36页 |
| 2.2 实验仪器 | 第36页 |
| 2.3 分析测试方法 | 第36-38页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱分析(EDX) | 第36页 |
| 2.3.2 单晶X射线衍射 | 第36-37页 |
| 2.3.3 粉末X射线衍射 | 第37页 |
| 2.3.4 紫外-可见漫反射光谱和红外透过光谱 | 第37页 |
| 2.3.5 磁性测试 | 第37-38页 |
| 2.3.6 差热分析 | 第38页 |
| 2.3.7 二阶非线性测试 | 第38页 |
| 2.4 理论计算 | 第38页 |
| 2.5 光电响应性能测试 | 第38页 |
| 2.6 光电化学测试 | 第38-40页 |
| 第3章 Na_2ZnSnS_4的设计,合成与表征 | 第40-50页 |
| 3.1 结构设计 | 第40-41页 |
| 3.2 样品合成 | 第41-42页 |
| 3.3 结构和物性讨论 | 第42-48页 |
| 3.3.1 类黄铜矿结构 | 第42-44页 |
| 3.3.2 纯度表征 | 第44-45页 |
| 3.3.3 双吸收特性 | 第45页 |
| 3.3.4 二阶非线性响应 | 第45-47页 |
| 3.3.5 中间带电子结构 | 第47-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-50页 |
| 第4章 K_(2.4)Ga_(2.4)M_(1.6)Q_8(M=Si,Ge;Q=S,Se)的设计,合成与表征 | 第50-60页 |
| 4.1 结构设计 | 第50页 |
| 4.2 样品合成 | 第50-51页 |
| 4.3 结构和物性讨论 | 第51-58页 |
| 4.3.1 一维链状结构 | 第51-53页 |
| 4.3.2 纯度表征 | 第53-54页 |
| 4.3.3 宽带隙半导体 | 第54-55页 |
| 4.3.4 宽透过、高软化温度红外玻璃 | 第55-57页 |
| 4.3.5 中间带电子结构 | 第57-58页 |
| 4.4 结论 | 第58-60页 |
| 第5章 Na_2In_2SnSe_6的设计,合成与表征 | 第60-68页 |
| 5.1 结构设计 | 第60页 |
| 5.2 样品合成 | 第60-61页 |
| 5.3 结构和物性讨论 | 第61-66页 |
| 5.3.1 三维网络结构 | 第61-62页 |
| 5.3.2 纯度表征 | 第62页 |
| 5.3.3 双吸收特性 | 第62-63页 |
| 5.3.4 明显光电响应性能 | 第63页 |
| 5.3.5 PEC产氢性能 | 第63-65页 |
| 5.3.6 中间带电子结构 | 第65-66页 |
| 5.4 小结 | 第66-68页 |
| 第6章 NaM_(0.5)Sn_(0.5)S_2(M=Mn,Fe)的设计,合成与表征 | 第68-78页 |
| 6.1 结构设计 | 第68-69页 |
| 6.2 样品合成 | 第69页 |
| 6.3 结构和物性讨论 | 第69-77页 |
| 6.3.1 层状结构 | 第69-71页 |
| 6.3.2 纯度表征 | 第71-72页 |
| 6.3.3 合适带隙 | 第72-73页 |
| 6.3.4 三角反铁磁性 | 第73-75页 |
| 6.3.5 短程磁有序 | 第75-76页 |
| 6.3.6 明显光电响应 | 第76-77页 |
| 6.4 小结 | 第77-78页 |
| 第7章 Ln_3M_(0.5)M’Se_7(Ln=La,Ce,Sm;M=Fe,Mn;M’=Si,Ge)和La_3MnGaSe_7的设计,合成与表征 | 第78-87页 |
| 7.1 引言 | 第78-79页 |
| 7.2 样品合成 | 第79页 |
| 7.3 结构和物性讨论 | 第79-85页 |
| 7.3.1 结构描述 | 第79-81页 |
| 7.3.2 纯度表征 | 第81-82页 |
| 7.3.3 适合带隙 | 第82页 |
| 7.3.4 本征反铁磁性 | 第82-85页 |
| 7.3.5 明显光电响应 | 第85页 |
| 7.4 结论 | 第85-87页 |
| 第八章 总结与展望 | 第87-91页 |
| 8.1 本文内容总结 | 第87-89页 |
| 8.2 本文的创新点 | 第89页 |
| 8.3 中间带电子结构设计 | 第89-90页 |
| 8.4 未来工作展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-100页 |
| 附录 晶体学数据和结构精修的参数 | 第100-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第111-112页 |
