| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 论文背景与意义 | 第9-14页 |
| 1.1.1 嵌入式闪存发展历程 | 第9-10页 |
| 1.1.2 嵌入式闪存架构分类与器件结构 | 第10-13页 |
| 1.1.3 2T-EFLASH闪存的优势 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.1 耐久特性问题及研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 数据保持特性问题及研究现状 | 第15页 |
| 1.3 本文主要工作与组织结构 | 第15-19页 |
| 1.3.1 主要工作与设计指标 | 第15-16页 |
| 1.3.2 论文组织结构 | 第16-19页 |
| 第二章 2T-EFLASH器件基本原理与电学特性 | 第19-31页 |
| 2.1 2T-EFLASH器件基本原理 | 第19-24页 |
| 2.1.1 闪存器件擦写机制及性能参数 | 第19-22页 |
| 2.1.2 2T-EFLASH器件结构和工作原理 | 第22-24页 |
| 2.2 2T-EFLASH器件基本电学特性 | 第24-28页 |
| 2.2.1 转移特性I-V曲线 | 第24-25页 |
| 2.2.2 不同电压条件对阈值的影响 | 第25-28页 |
| 2.3 2T-EFLASH器件仿真平台 | 第28-30页 |
| 2.3.1 仿真软件简介 | 第28页 |
| 2.3.2 2T-EFLASH器件结构和特性仿真 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 2T-EFLASH器件耐久性退化机理与模型研究 | 第31-47页 |
| 3.1 2T-EFLASH器件耐久性问题 | 第31-32页 |
| 3.1.1 耐久性概念 | 第31页 |
| 3.1.2 耐久性问题产生机制 | 第31-32页 |
| 3.2 2T-EFLASH器件耐久性循环擦写试验 | 第32-33页 |
| 3.2.1 循环擦写CYC测试流程 | 第33页 |
| 3.2.2 循环擦写CYC数据分析 | 第33页 |
| 3.3 2T-EFLASH器件耐久性退化机理研究 | 第33-44页 |
| 3.3.1 电荷泵测试简介 | 第33-35页 |
| 3.3.2 循环擦写CP测试和讨论 | 第35-38页 |
| 3.3.3 仿真和验证 | 第38-44页 |
| 3.4 2T-EFLASH器件耐久性建模与验证 | 第44-45页 |
| 3.4.1 耐久性模型建立 | 第44页 |
| 3.4.2 耐久性模型验证 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 2T-EFLASH器件数据保持特性机理与模型研究 | 第47-59页 |
| 4.1 2T-EFLASH器件数据保持特性问题 | 第47-49页 |
| 4.1.1 数据保持特性概念 | 第47-48页 |
| 4.1.2 数据保持特性问题产生机制 | 第48-49页 |
| 4.2 2T-EFLASH器件数据保持特性高温烘烤试验 | 第49-53页 |
| 4.2.1 高温烘烤DRB测试流程 | 第49-50页 |
| 4.2.2 高温烘烤DRB测试数据分析 | 第50-53页 |
| 4.3 2T-EFLASH器件数据保持特性机理和模型 | 第53-58页 |
| 4.3.1 2T-EFLASH数据保持特性建模与验证 | 第53-57页 |
| 4.3.2 2T-EFLASH数据保持特性退化机理 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67页 |
