| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第9-26页 |
| 1.1 透明导电氧化物薄膜 | 第9-10页 |
| 1.2 In_2O_3材料的性质研究 | 第10-24页 |
| 1.2.1 In_2O_3的结构性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 In_2O_3的表面性质 | 第11-13页 |
| 1.2.3 In_2O_3导电性来源 | 第13-14页 |
| 1.2.4 量子输运性质理论 | 第14-18页 |
| 1.2.5 In_2O_3的量子输运性质研究 | 第18-24页 |
| 1.3 存在的问题及本论文主要的研究工作 | 第24-26页 |
| 第二章 样品的制备和测量 | 第26-34页 |
| 2.1 样品的制备 | 第26-29页 |
| 2.1.1 磁控溅射的基本原理 | 第26-27页 |
| 2.1.2 样品的制备 | 第27-29页 |
| 2.2 样品的测量 | 第29-34页 |
| 2.2.1 样品的结构表征 | 第29-30页 |
| 2.2.2 样品的形貌表征 | 第30-32页 |
| 2.2.3 样品的电输运性质测量 | 第32-34页 |
| 第三章 不同厚度超薄In_2O_3薄膜的电子输运性质 | 第34-53页 |
| 3.1 不同厚度In_2O_3薄膜的结构分析 | 第34-36页 |
| 3.2 不同厚度In_2O_3薄膜的表面形貌分析 | 第36-37页 |
| 3.3 不同厚度In_2O_3薄膜的电子输运性质分析 | 第37-50页 |
| 3.3.1 金属性薄膜的性质分析 | 第39-44页 |
| 3.3.2 绝缘性薄膜的变程跳跃导电过程分析 | 第44-48页 |
| 3.3.3 退火后以及高通氧的In_2O_3薄膜的VRH分析 | 第48-50页 |
| 3.4 二维变程跳跃导电的普适理论分析 | 第50-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 不同制备温度In_2O_3薄膜的退相干机制 | 第53-64页 |
| 4.1 不同制备温度In_2O_3薄膜的结构分析 | 第53-55页 |
| 4.2 不同制备温度In_2O_3薄膜的表面形貌分析 | 第55-58页 |
| 4.3 不同制备温度In_2O_3薄膜的电输运性质分析 | 第58-63页 |
| 4.3.1 In_2O_3薄膜的电输运性质分析 | 第58-61页 |
| 4.3.2 In_2O_3薄膜的退相干机制的分析 | 第61-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 发表的论文和参加科研情况说明 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
