致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
1. 引言 | 第11-12页 |
2. 文献综述 | 第12-39页 |
2.1 热膨胀 | 第12-14页 |
2.2 负热膨胀材料发展 | 第14-17页 |
2.3 负热膨胀机理 | 第17-38页 |
2.3.1 刚性单元模模型 | 第18-24页 |
2.3.2 金属间电荷转移 | 第24-28页 |
2.3.3 磁有序转变 | 第28-35页 |
2.3.4 铁电效应 | 第35-38页 |
2.4 本课题研究内容及意义 | 第38-39页 |
3 样品制备与研究方法 | 第39-43页 |
3.1 氟化物固相法合成 | 第39页 |
3.2 氟化钪单源热解法 | 第39页 |
3.3 X射线衍射 | 第39-40页 |
3.4 中子衍射 | 第40页 |
3.5 同步辐射X射线全散射技术 | 第40-41页 |
3.6 同步辐射X射线吸收光光谱 | 第41-43页 |
4 ScF_3基固溶体热膨胀和磁性 | 第43-55页 |
4.1 引言 | 第43-44页 |
4.2 ScF_3基固溶体制备、表征 | 第44-45页 |
4.3 晶体结构与负热膨胀 | 第45-47页 |
4.4 磁性与能带调控 | 第47-49页 |
4.5 局域结构解析 | 第49-54页 |
4.6 本章小结 | 第54-55页 |
5 ScF_3负热膨胀机理 | 第55-67页 |
5.1 引言 | 第55-56页 |
5.2 样品制备、表征 | 第56-57页 |
5.3 ScF_3结构及负热膨胀 | 第57-59页 |
5.4 ScF_3真实键长变化 | 第59-64页 |
5.5 ScF_3局域振动动力学 | 第64-66页 |
5.6 本章小结 | 第66-67页 |
6 ScF_3纳米框架结构局域畸变对热膨胀的调控 | 第67-87页 |
6.1 引言 | 第67-68页 |
6.2 样品制备、表征 | 第68-70页 |
6.3 纳米ScF_3尺寸、形貌与热膨胀 | 第70-74页 |
6.4 纳米ScF_3局域振动动力学 | 第74-79页 |
6.5 纳米ScF_3局域结构与理论计算 | 第79-86页 |
6.6 本章小结 | 第86-87页 |
7 高居里温度磁性半导体(Sc_(1-x)Fe_x)F_3 | 第87-108页 |
7.1 引言 | 第87-88页 |
7.2 样品制备、表征 | 第88-90页 |
7.3 晶体结构 | 第90-96页 |
7.4 磁性与半导体性能 | 第96-101页 |
7.5 磁性起源机理研究 | 第101-107页 |
7.6 本章小结 | 第107-108页 |
8 MZrF_6 (M=Ca,Mn,Fe,Co,Ni,Zn)热膨胀 | 第108-132页 |
8.1 引言 | 第108-109页 |
8.2 样品制备、表征 | 第109-110页 |
8.3 晶格结构及热膨胀 | 第110-125页 |
8.4 局域结构 | 第125-131页 |
8.5 本章小结 | 第131-132页 |
9 结论与展望 | 第132-135页 |
9.1 结论 | 第132-133页 |
9.2 创新点 | 第133-134页 |
9.3 展望 | 第134-135页 |
参考文献 | 第135-151页 |
作者简历及在学研究成果 | 第151-155页 |
学位论文数据集 | 第155页 |