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氧化铼型氟化物合成、晶体结构、负热膨胀及磁性

致谢第4-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
1. 引言第11-12页
2. 文献综述第12-39页
    2.1 热膨胀第12-14页
    2.2 负热膨胀材料发展第14-17页
    2.3 负热膨胀机理第17-38页
        2.3.1 刚性单元模模型第18-24页
        2.3.2 金属间电荷转移第24-28页
        2.3.3 磁有序转变第28-35页
        2.3.4 铁电效应第35-38页
    2.4 本课题研究内容及意义第38-39页
3 样品制备与研究方法第39-43页
    3.1 氟化物固相法合成第39页
    3.2 氟化钪单源热解法第39页
    3.3 X射线衍射第39-40页
    3.4 中子衍射第40页
    3.5 同步辐射X射线全散射技术第40-41页
    3.6 同步辐射X射线吸收光光谱第41-43页
4 ScF_3基固溶体热膨胀和磁性第43-55页
    4.1 引言第43-44页
    4.2 ScF_3基固溶体制备、表征第44-45页
    4.3 晶体结构与负热膨胀第45-47页
    4.4 磁性与能带调控第47-49页
    4.5 局域结构解析第49-54页
    4.6 本章小结第54-55页
5 ScF_3负热膨胀机理第55-67页
    5.1 引言第55-56页
    5.2 样品制备、表征第56-57页
    5.3 ScF_3结构及负热膨胀第57-59页
    5.4 ScF_3真实键长变化第59-64页
    5.5 ScF_3局域振动动力学第64-66页
    5.6 本章小结第66-67页
6 ScF_3纳米框架结构局域畸变对热膨胀的调控第67-87页
    6.1 引言第67-68页
    6.2 样品制备、表征第68-70页
    6.3 纳米ScF_3尺寸、形貌与热膨胀第70-74页
    6.4 纳米ScF_3局域振动动力学第74-79页
    6.5 纳米ScF_3局域结构与理论计算第79-86页
    6.6 本章小结第86-87页
7 高居里温度磁性半导体(Sc_(1-x)Fe_x)F_3第87-108页
    7.1 引言第87-88页
    7.2 样品制备、表征第88-90页
    7.3 晶体结构第90-96页
    7.4 磁性与半导体性能第96-101页
    7.5 磁性起源机理研究第101-107页
    7.6 本章小结第107-108页
8 MZrF_6 (M=Ca,Mn,Fe,Co,Ni,Zn)热膨胀第108-132页
    8.1 引言第108-109页
    8.2 样品制备、表征第109-110页
    8.3 晶格结构及热膨胀第110-125页
    8.4 局域结构第125-131页
    8.5 本章小结第131-132页
9 结论与展望第132-135页
    9.1 结论第132-133页
    9.2 创新点第133-134页
    9.3 展望第134-135页
参考文献第135-151页
作者简历及在学研究成果第151-155页
学位论文数据集第155页

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