| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 前言 | 第9-21页 |
| 1 课题研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 2 存储器简介 | 第10-18页 |
| 2.1 挥发性存储器 | 第10-11页 |
| 2.2 非挥发性存储器 | 第11-17页 |
| 2.3 存储器总结对比 | 第17-18页 |
| 3 本论文的主要工作及论文框架 | 第18-21页 |
| PartⅠ电阻式存储器的制作及机理研究 | 第21-77页 |
| 第一章 引言 | 第21-23页 |
| 第二章 理论基础 | 第23-35页 |
| 2.1 电阻式存储器的切换机理 | 第23-25页 |
| 2.1.1 细丝理论 | 第23-24页 |
| 2.1.2 焦耳热效应 | 第24页 |
| 2.1.3 阳离子迁移 | 第24-25页 |
| 2.2 绝缘体漏电流传导机制 | 第25-29页 |
| 2.2.1 穿隧 | 第26页 |
| 2.2.2 肖特基发射 | 第26-27页 |
| 2.2.3 欧姆传导 | 第27-28页 |
| 2.2.4 跳跃传导 | 第28-29页 |
| 2.3 实验仪器原理 | 第29-35页 |
| 2.3.1 多靶磁控溅镀系统 | 第29页 |
| 2.3.2 N&K 薄膜特性分析仪 | 第29页 |
| 2.3.3 傅立叶转换红外光谱仪 | 第29-30页 |
| 2.3.4 X 光光电子能谱仪 | 第30-31页 |
| 2.3.5 半导体电性测量系统 | 第31-32页 |
| 2.3.6 超临界流体系统 | 第32-35页 |
| 第三章 Pt 与 ITO 电极 RRAM 器件的制作及电性分析 | 第35-49页 |
| 3.1 钆掺杂二氧化硅电阻式存储器件的制作 | 第35-38页 |
| 3.1.1 钆掺杂二氧化硅薄膜的制备 | 第36页 |
| 3.1.2 Pt 电极薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 3.1.3 ITO 电极薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 3.2 钆掺杂二氧化硅材料分析 | 第38-40页 |
| 3.2.1 傅氏转换红外光谱仪分析 | 第38-39页 |
| 3.2.2 X 射线光电子能谱仪分析 | 第39-40页 |
| 3.3 钆掺杂二氧化硅 RRAM 器件的电性分析 | 第40-47页 |
| 3.3.1 Pt/Gd:SiO_2/TiN RRAM 器件电性分析 | 第41-43页 |
| 3.3.2 ITO/Gd:SiO_2/TiN RRAM 器件电性分析 | 第43-45页 |
| 3.3.3 Pt 与 ITO 电极 I-V Curve 比较 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 ITO 电极 RRAM 特性机理模型的实验验证 | 第49-61页 |
| 4.1 ITO/Gd:SiO_2/TiN 电流传导机制分析 | 第49-50页 |
| 4.2 ITO/Gd:SiO_2/TiN 切换机理模型 | 第50-52页 |
| 4.3 ITO/Gd:SiO_2/TiN 超临界流体处理的实验与分析 | 第52-60页 |
| 4.3.1 实验过程与参数 | 第52-53页 |
| 4.3.2 材料分析 | 第53-56页 |
| 4.3.3 电性分析 | 第56-57页 |
| 4.3.4 漏电流传导机制分析 | 第57-59页 |
| 4.3.5 机制模型分析 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 Pt 电极的多层结构 RRAM 特性及机理分析 | 第61-75页 |
| 5.1 Pt/Gd:SiO_2/C:SiO_2/TiN 双层结构 RRAM 的制作 | 第61-62页 |
| 5.1.1 制作流程 | 第61-62页 |
| 5.1.2 实验参数 | 第62页 |
| 5.2 C:SiO_2薄膜材料分析 | 第62-64页 |
| 5.2.1 FTIR 测试 | 第62-63页 |
| 5.2.2 Raman 测试 | 第63-64页 |
| 5.2.3 XPS 测试 | 第64页 |
| 5.3 Pt/Gd:SiO_2/C:SiO_2/TiN 电性分析 | 第64-69页 |
| 5.3.1 Forming 过程 | 第64-65页 |
| 5.3.2 电流-电压曲线 | 第65-66页 |
| 5.3.3 可靠性测试 | 第66-67页 |
| 5.3.4 机理模型分析 | 第67-69页 |
| 5.4 Pt/Gd:SiO_2/C:SiO_2/TiN 切换机理验证 | 第69-72页 |
| 5.4.1 氢电浆处理过程 | 第69页 |
| 5.4.2 氢电浆处理前后比较 | 第69-72页 |
| 5.5 CRS 结构 | 第72-74页 |
| 5.5.1 CRS 原理 | 第72-73页 |
| 5.5.2 CRS 结构的实现 | 第73-74页 |
| 5.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-77页 |
| PartⅡ电容式存储器的制作及机理分析 | 第77-103页 |
| 第一章 引言 | 第77-79页 |
| 第二章 理论基础 | 第79-85页 |
| 2.1 ITO 导电薄膜 | 第79-81页 |
| 2.2 快离子导体 | 第81-82页 |
| 2.3 电容式存储器 | 第82-84页 |
| 2.3.1 电容式存储器的结构 | 第82页 |
| 2.3.2 电容式存储器的存储器原理 | 第82-83页 |
| 2.3.3 电容式存储器的测试方法 | 第83-84页 |
| 2.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 第三章 Na-β"-Al2O3粉体的制备及电容式存储器的制作 | 第85-89页 |
| 3.1 Na-β"-Al2O3粉体的制备 | 第85-86页 |
| 3.2 Na-β"-Al2O3粉体的 XRD 表征 | 第86页 |
| 3.3 电容式存储器的制作 | 第86-88页 |
| 3.3.1 浆料的制备 | 第87页 |
| 3.3.2 旋涂甩膜 | 第87-88页 |
| 3.3.3 烧结成型 | 第88页 |
| 3.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 第四章 电容式存储器的电性测试与机理分析 | 第89-101页 |
| 4.1 三种器件的测试对比 | 第89-93页 |
| 4.1.1 电流-电压曲线 | 第89-90页 |
| 4.1.2 恒流充电 | 第90-91页 |
| 4.1.3 Rention 测试 | 第91-92页 |
| 4.1.4 交流阻抗测试 | 第92-93页 |
| 4.2 ITO/Na-β"-Al_2O_3/ITO 纵向测试对比 | 第93-97页 |
| 4.2.1 不同电压扫描测试 | 第93-94页 |
| 4.2.2 多次循环测试 | 第94-95页 |
| 4.2.3 恒流充放电测试 | 第95-96页 |
| 4.2.4 隔膜层的影响 | 第96-97页 |
| 4.3 机理分析 | 第97-99页 |
| 4.3.1 ITO/Na-β"-Al_2O_3/ITO 机理模型 | 第97-98页 |
| 4.3.2 ITO/BaTiO_3/ITO 机理模型 | 第98-99页 |
| 4.4 本章小结 | 第99-101页 |
| 第五章 结论 | 第101-103页 |
| 总结与展望 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-111页 |
| 研究生期间论文发表情况 | 第111-112页 |
