| 摘要 | 第12-14页 |
| Abstract | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第16-40页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 光诱导约束刻蚀技术的基本原理及研究现状 | 第16-23页 |
| 1.2.1 约束刻蚀剂层技术的基本原理 | 第16-18页 |
| 1.2.2 铜表面平坦化的研究背景及现状 | 第18-21页 |
| 1.2.3 光诱导约束刻蚀剂层技术在平坦化上的应用 | 第21-23页 |
| 1.3 二氧化钛半导体光催化剂的性质及应用 | 第23-28页 |
| 1.3.1 二氧化钛半导体光催化剂的性质及应用 | 第23-24页 |
| 1.3.2 二氧化钛光催化层的制备及其在平坦化上的应用 | 第24-25页 |
| 1.3.3 羟基自由基的产生及在光诱导约束刻蚀体系中的应用 | 第25-27页 |
| 1.3.4 羟基自由基的检测方法 | 第27-28页 |
| 1.4 扫描电化学显微镜的研究背景及现状 | 第28-32页 |
| 1.4.1 扫描电化学显微镜的研究背景 | 第28-29页 |
| 1.4.2 扫描电化学显微镜的模式 | 第29-31页 |
| 1.4.3 应用SECM对·OH浓度分布进行检测 | 第31-32页 |
| 1.5 本论文的研究目的及设想 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-40页 |
| 第二章 实验部分 | 第40-44页 |
| 2.1 主要试剂 | 第40-41页 |
| 2.2 电极 | 第41-43页 |
| 2.2.1 工作电极 | 第41-42页 |
| 2.2.2 辅助电极 | 第42页 |
| 2.2.3 参比电极 | 第42页 |
| 2.2.4 光诱导约束刻蚀中的工件Cu片 | 第42-43页 |
| 2.3 实验条件 | 第43页 |
| 2.4 实验仪器与设备 | 第43-44页 |
| 第三章 光诱导约束刻蚀体系中的二氧化钛光催化剂层 | 第44-55页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 二氧化钛光催化层的制备 | 第44-49页 |
| 3.2.1 氧化锌纳米棒模板法化学沉积二氧化钛纳米管 | 第45-48页 |
| 3.2.2 电场沉积二氧化钛微粒膜 | 第48-49页 |
| 3.3 二氧化钛光催化剂层约束刻蚀性能的比较及光催化剂层的筛选 | 第49-53页 |
| 3.3.1 羟基自由基的检测方法 | 第49-50页 |
| 3.3.2 荧光分析法的实验流程 | 第50-51页 |
| 3.3.3 两种方法制备二氧化钛产生羟基自由基的能力 | 第51-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第四章 光诱导约束刻蚀体系中二氧化钛光电极上铜的沉积及抑制 | 第55-85页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 光诱导化学平坦化铜的实验过程 | 第56-58页 |
| 4.3 光诱导约束刻蚀后TiO_2表面沉积Cu及Cu表面的表征 | 第58-60页 |
| 4.4 光诱导约束刻蚀中TiO_2表面Cu的生成机制 | 第60-61页 |
| 4.5 模拟液中TiO_2表面的Cu沉积与其对光催化性能的影响 | 第61-66页 |
| 4.6 TiO_2表面Cu沉积的抑制 | 第66-80页 |
| 4.6.1 工件-工具之间距离对光诱导约束刻蚀和铜沉积效果的影响 | 第66-67页 |
| 4.6.2 光诱导约束刻蚀体系中引入外置搅拌 | 第67-70页 |
| 4.6.3 Cu沉积抑制实验中的pH的选择 | 第70-76页 |
| 4.6.4 光诱导约束刻蚀体系中引入络合剂 | 第76-77页 |
| 4.6.5 光诱导约束刻蚀体系中引入外置电场 | 第77-80页 |
| 4.7 本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第五章 光诱导约束刻蚀体系中刻蚀剂羟基自由基的扩散距离及浓度分布的SECM表征 | 第85-110页 |
| 5.1 引言 | 第85-86页 |
| 5.2 应用扫描电化学显微镜中SG/TC模式来测量·OH的浓度分布 | 第86-101页 |
| 5.2.1 氧化还原电对的选择 | 第86-87页 |
| 5.2.3 ·OH浓度分布的实验过程及检测方法 | 第87-101页 |
| 5.3 用于模拟实际刻蚀体系的测量方法 | 第101-106页 |
| 5.3.1 在Pt微盘电极表面沉积铜 | 第101-102页 |
| 5.3.2 应用于评估模拟光诱导约束刻蚀体系中·OH_f的浓度分布的沉积-刻蚀-溶出方法 | 第102-106页 |
| 5.4 本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 硕士在学期间的科研成果 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
