| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| ·概述 | 第10页 |
| ·介电/半导体异质结的研究现状 | 第10-19页 |
| ·ZnO 薄膜 | 第10-13页 |
| ·铁电薄膜 | 第13-15页 |
| ·介电/半导体薄膜 | 第15-19页 |
| ·ZnO/铁电异质结的生长研究 | 第15-16页 |
| ·ZnO/铁电异质结的性能研究 | 第16-19页 |
| ·常用的制备方法 | 第19-22页 |
| ·本论文的选题及研究思路 | 第22-23页 |
| 2 实验方法与原理 | 第23-32页 |
| ·CSD 法制备薄膜过程 | 第23-27页 |
| ·前驱体的制备 | 第23-26页 |
| ·基片的清洗 | 第26页 |
| ·前驱体的涂覆 | 第26-27页 |
| ·湿膜的热处理 | 第27页 |
| ·薄膜的分析与测试方法 | 第27-32页 |
| ·X 射线衍射法(XRD) | 第27-28页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第28-29页 |
| ·拉曼光谱（Raman spectra） | 第29页 |
| ·紫外-可见-近红外分光光谱（Uv-vis） | 第29-30页 |
| ·扫描电镜（SEM） | 第30页 |
| ·介电性能测试 | 第30-32页 |
| 3 ZnO 薄膜的制备与生长机理研究 | 第32-46页 |
| ·氧压对 ZnO 薄膜生长的影响 | 第32-34页 |
| ·退火温度对 ZnO 薄膜生长的影响 | 第34-37页 |
| ·预处理温度及溶剂相互作用对 ZnO 薄膜的影响 | 第37-41页 |
| ·机理研究 | 第41-45页 |
| ·以 PVA 为溶剂 | 第41-43页 |
| ·以乙二醇甲醚为溶剂 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 BaTi0_3 薄膜的制备及生长机理研究 | 第46-53页 |
| ·BaTi0_3 薄膜的制备工艺 | 第46-47页 |
| ·基片对 BaTi0_3 薄膜生长的影响 | 第47-49页 |
| ·镀膜层数对 BaTi0_3 薄膜生长的影响 | 第49-50页 |
| ·BaTi0_3 薄膜的生长机理 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 5 ZnO/BaTi0_3 异质结的制备与性能研究 | 第53-63页 |
| ·ZnO/LaNi0_3/Si 薄膜的制备 | 第53-54页 |
| ·ZnO/BaTi0_3/LaNi0_3/Si 异质结的制备 | 第54-55页 |
| ·ZnO/BaTi0_3 薄膜的性能研究 | 第55-61页 |
| ·ZnO 薄膜的禁带宽度 | 第55-57页 |
| ·BaTi0_3 薄膜的电学性能 | 第57-59页 |
| ·ZnO/BaTi0_3 薄膜的电性能研究 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 在读期间已发表和待发表的论文 | 第72页 |