| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 实验使用半导体材料性能简介 | 第12-15页 |
| 1.2.1 Al_xGa_(1-x) As晶体结构简介 | 第12-14页 |
| 1.2.2 Al_xGa_(1-x) As能带结构简介 | 第14-15页 |
| 1.3 应变对半导体材料能带影响的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文选题及研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 测试方法与相关理论 | 第18-33页 |
| 2.1 测试方法 | 第18-22页 |
| 2.1.1 声子频率与Raman光谱 | 第18-21页 |
| 2.1.1.1 声子频率简介 | 第18-19页 |
| 2.1.1.2 Raman光谱 | 第19-21页 |
| 2.1.2 PL谱简介 | 第21-22页 |
| 2.2 相关理论 | 第22-30页 |
| 2.2.1 一维屈曲模型 | 第22-24页 |
| 2.2.2 应变与声子频率改变的关系 | 第24-25页 |
| 2.2.3 能隙改变与应变关系 | 第25-30页 |
| 2.2.3.1 k·p理论 | 第25-27页 |
| 2.2.3.2 Pikus-Bir哈密顿算符 | 第27-30页 |
| 2.3 应力、应变张量分解 | 第30-33页 |
| 第三章 PDMS制备与力学性能表征 | 第33-42页 |
| 3.1 柔性可延展衬底相关及PDMS简介 | 第33-35页 |
| 3.2 PDMS实验制备 | 第35-36页 |
| 3.3 PDMS的力学性能测试 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 薄膜转移、转印与屈曲结构制备 | 第42-64页 |
| 4.1 Al_xGa_(1-x) As湿法腐蚀 | 第42-47页 |
| 4.2 薄膜转移与转印 | 第47-52页 |
| 4.2.1 转印技术简介 | 第47-50页 |
| 4.2.2 转移、转印实验制备 | 第50-52页 |
| 4.3 屈曲结构设计与实验测量 | 第52-62页 |
| 4.3.1 一维屈曲波浪状结构实验制备与形貌表征 | 第52-59页 |
| 4.3.2 可延展性表征 | 第59-61页 |
| 4.3.3 一维与二维结合的十字形屈曲形貌 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 屈曲结构下GaAs光电性能检测 | 第64-70页 |
| 5.1 屈曲结构Raman谱及PL谱测量与数据分析 | 第64-69页 |
| 5.2 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 附录 | 第79-82页 |
| 附录I 实验所用设备 | 第79-81页 |
| 附录II 材料参数表 | 第81-82页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第82-83页 |
