阻变FPGA关键技术的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 传统FPGA编程技术 | 第9-11页 |
| 1.1.1 反熔丝FPGA | 第9-10页 |
| 1.1.2 SRAM FPGA | 第10-11页 |
| 1.2 本课题的研究动机与意义 | 第11-12页 |
| 1.3 论文结构 | 第12-14页 |
| 第二章 忆阻器及其仿真模型 | 第14-26页 |
| 2.1 忆阻器的工作原理 | 第14-15页 |
| 2.2 忆阻器的器件结构 | 第15-16页 |
| 2.3 忆阻器的特性参数 | 第16-17页 |
| 2.4 忆阻器的电阻转变机制 | 第17-19页 |
| 2.4.1 导电细丝的形成与断裂 | 第17-19页 |
| 2.5 忆阻器的仿真模型 | 第19-25页 |
| 2.5.1 RS单元的Verilog-AMS建模 | 第20-22页 |
| 2.5.2 忆阻器模型的仿真 | 第22-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 阻变FPGA基本原理与电路 | 第26-52页 |
| 3.1 传统岛型FPGA结构概述 | 第26-28页 |
| 3.2 阻变型非易失编程点 | 第28-39页 |
| 3.2.1 现有忆阻器编程点及存在的缺陷 | 第28-33页 |
| 3.2.1.1 忆阻器直接用作可编程开关 | 第28-29页 |
| 3.2.1.2 可变电阻分压式编程点 | 第29页 |
| 3.2.1.3 NVSRAM编程点 | 第29-33页 |
| 3.2.2 改进型编程点ReSRAM | 第33-39页 |
| 3.2.2.1 电路结构 | 第33-34页 |
| 3.2.2.2 工作原理 | 第34-35页 |
| 3.2.2.3 ReSRAM的优点 | 第35-37页 |
| 3.2.2.4 ReSRAM的电路仿真 | 第37-39页 |
| 3.3 非易失可编程逻辑块 | 第39-47页 |
| 3.3.1 阻变非易失性查找表 | 第42-47页 |
| 3.3.1.1 电路配置 | 第43-44页 |
| 3.3.1.2 函数发生器模式 | 第44-45页 |
| 3.3.1.3 RAM模式 | 第45-46页 |
| 3.3.1.4 移位寄存器模式 | 第46-47页 |
| 3.4 可编程互连 | 第47-51页 |
| 3.4.1 传输管开关的延迟 | 第47-49页 |
| 3.4.2 互连延迟 | 第49页 |
| 3.4.3 可编程开关 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 阻变FPGA配置电路结构 | 第52-68页 |
| 4.1 编程通道 | 第52-61页 |
| 4.1.1 回读 | 第53-57页 |
| 4.1.1.1 ReSRAM回读操作 | 第53-55页 |
| 4.1.1.2 预充电 | 第55-56页 |
| 4.1.1.3 灵敏放大器 | 第56页 |
| 4.1.1.4 回读操作的仿真 | 第56-57页 |
| 4.1.2 置位与复位 | 第57-59页 |
| 4.1.3 在线调试模式 | 第59-61页 |
| 4.2 配置结构 | 第61-63页 |
| 4.3 JTAG接口 | 第63-65页 |
| 4.4 配置流程 | 第65-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第68-70页 |
| 5.1 全文总结 | 第68页 |
| 5.2 论文创新 | 第68-69页 |
| 5.3 展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第73-74页 |
