摘要 | 第10-11页 |
ABSTRACT | 第11-12页 |
第一章 绪论 | 第13-22页 |
1.1 硅基光栅耦合器的研究简述 | 第13-20页 |
1.1.1 硅基光栅耦合器的研究意义 | 第13-14页 |
1.1.2 国内外硅基光栅耦合器的研究现状 | 第14-20页 |
1.2 本文的主要工作 | 第20-21页 |
1.3 本章小结 | 第21-22页 |
第二章 偏振无关硅基光栅耦合器和分束器设计原理和方法 | 第22-32页 |
2.1 平板波导的导模原理 | 第22-25页 |
2.2 光栅耦合的布拉格条件 | 第25-26页 |
2.3 等效介质模理论介绍 | 第26-28页 |
2.4 有限时域差分数值计算方法的介绍 | 第28-31页 |
2.5 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 硅基亚波长偏振无关光栅耦合器的设计 | 第32-51页 |
3.1 偏振无关光栅耦合器的设计 | 第32-40页 |
3.1.1 偏振无关光栅耦合器结构模型 | 第32-33页 |
3.1.2 偏振无关光栅耦合器的物理模型 | 第33-35页 |
3.1.3 参数优化 | 第35-40页 |
3.2 引入布拉格反射层的偏振无关光栅耦合器 | 第40-46页 |
3.3 偏振不相关耦合器的制备 | 第46-50页 |
3.4 本章小结 | 第50-51页 |
第四章 偏振无关光栅分束器的设计 | 第51-59页 |
4.1 高效率的偏振无关光栅分束器的设计 | 第51-52页 |
4.2 偏振无关光栅分束器的参数分析 | 第52-58页 |
4.3 本章小结 | 第58-59页 |
第五章 高效紫外波段与中红外光栅耦合器的设计 | 第59-70页 |
5.1 高效率,高集成度的紫外光栅耦合器的设计 | 第59-64页 |
5.2 基于silicon-on-sapphire (SOS)的 2.7μm波长的光栅耦合器的研究 | 第64-69页 |
5.3 本章小节 | 第69-70页 |
结束语 | 第70-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-78页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第78页 |