| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 半导体发光器件 | 第13-14页 |
| 1.2 Si基Ga N研究进展 | 第14-25页 |
| 1.2.1 Ga N基本性质 | 第14-15页 |
| 1.2.2 Ga N研究进展 | 第15-19页 |
| 1.2.3 Si基Ga N | 第19-25页 |
| 1.3 硅纳米孔柱阵列（Si-NPA） | 第25-26页 |
| 1.4 本课题研究思路与内容 | 第26-27页 |
| 第二章 Ga N/Si-NPA的制备和表征 | 第27-45页 |
| 2.1 Si-NPA的制备与表征 | 第27-30页 |
| 2.2 Si-NPA的光致发光 | 第30-34页 |
| 2.3 Ga N/Si-NPA的制备 | 第34-36页 |
| 2.4 温度对Ga N/Si-NPA纳米结构的影响 | 第36-39页 |
| 2.5 氨气流量对Ga N/Si-NPA纳米结构的影响 | 第39-41页 |
| 2.6 Ga N生长机理 | 第41-44页 |
| 2.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 Ga N/Si-NPA的光致/电致发光特性 | 第45-69页 |
| 3.1 Ga N/Si-NPA的光致发光特性 | 第45-51页 |
| 3.1.1 不同温度制备Ga N/Si-NPA的光致发光 | 第45-48页 |
| 3.1.2 不同氨气通量制备Ga N/Si-NPA的光致发光 | 第48-51页 |
| 3.2 阳极电极制备 | 第51-54页 |
| 3.3 阴极电极制备 | 第54-56页 |
| 3.4 Ga N/Si-NPA的电致发光 | 第56-62页 |
| 3.4.1 ITO/Ga N/Si-NPA/sc-Si/Al器件构筑 | 第56-57页 |
| 3.4.2 不同温度下Ga N/Si-NPA的电致发光 | 第57-61页 |
| 3.4.3 不同氨气流量制备Ga N/Si-NPA的电致发光 | 第61-62页 |
| 3.5 Ga N/Si-NPA的电输运模型 | 第62-67页 |
| 3.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 结论与展望 | 第69-72页 |
| 4.1 结论 | 第69-71页 |
| 4.2 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-82页 |
| 硕士期间完成的论文情况 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
