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氮化镓/硅纳米孔柱阵列的光致/电致发光特性及其调控

摘要第4-7页
Abstract第7-10页
第一章 绪论第13-27页
    1.1 半导体发光器件第13-14页
    1.2 Si基Ga N研究进展第14-25页
        1.2.1 Ga N基本性质第14-15页
        1.2.2 Ga N研究进展第15-19页
        1.2.3 Si基Ga N第19-25页
    1.3 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)第25-26页
    1.4 本课题研究思路与内容第26-27页
第二章 Ga N/Si-NPA的制备和表征第27-45页
    2.1 Si-NPA的制备与表征第27-30页
    2.2 Si-NPA的光致发光第30-34页
    2.3 Ga N/Si-NPA的制备第34-36页
    2.4 温度对Ga N/Si-NPA纳米结构的影响第36-39页
    2.5 氨气流量对Ga N/Si-NPA纳米结构的影响第39-41页
    2.6 Ga N生长机理第41-44页
    2.7 本章小结第44-45页
第三章 Ga N/Si-NPA的光致/电致发光特性第45-69页
    3.1 Ga N/Si-NPA的光致发光特性第45-51页
        3.1.1 不同温度制备Ga N/Si-NPA的光致发光第45-48页
        3.1.2 不同氨气通量制备Ga N/Si-NPA的光致发光第48-51页
    3.2 阳极电极制备第51-54页
    3.3 阴极电极制备第54-56页
    3.4 Ga N/Si-NPA的电致发光第56-62页
        3.4.1 ITO/Ga N/Si-NPA/sc-Si/Al器件构筑第56-57页
        3.4.2 不同温度下Ga N/Si-NPA的电致发光第57-61页
        3.4.3 不同氨气流量制备Ga N/Si-NPA的电致发光第61-62页
    3.5 Ga N/Si-NPA的电输运模型第62-67页
    3.6 本章小结第67-69页
第四章 结论与展望第69-72页
    4.1 结论第69-71页
    4.2 展望第71-72页
参考文献第72-82页
硕士期间完成的论文情况第82-83页
致谢第83-84页

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