| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 课题来源及研究目的及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 太阳能级多晶硅的制备 | 第10-18页 |
| 1.2.1 传统方法制备多晶硅 | 第10-12页 |
| 1.2.2 制备太阳能级多晶硅的新型工艺 | 第12-14页 |
| 1.2.3 铸造多晶硅锭的制备技术 | 第14-18页 |
| 1.3 太阳能级多晶硅的晶体生长 | 第18-22页 |
| 1.3.1 晶体生长的热力学条件 | 第18页 |
| 1.3.2 晶体生长的动力学原理 | 第18-20页 |
| 1.3.3 多晶硅晶体生长过程 | 第20页 |
| 1.3.4 多晶硅生长的影响因素 | 第20-21页 |
| 1.3.5 大晶粒多晶硅中晶界的影响 | 第21-22页 |
| 1.4 电磁冷坩埚技术及其应用 | 第22-23页 |
| 1.4.1 电磁冷坩埚的工作原理 | 第22页 |
| 1.4.2 电磁冷坩埚的应用 | 第22-23页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 实验材料及方法 | 第25-30页 |
| 2.1 研究方案和技术路线 | 第25页 |
| 2.2 实验材料 | 第25-26页 |
| 2.3 实验设备 | 第26-27页 |
| 2.4 测试分析设备 | 第27-30页 |
| 第3章 电磁冷坩埚熔铸多晶硅流场的数值模拟 | 第30-43页 |
| 3.1 前言 | 第30页 |
| 3.2 冷坩埚模型的建立 | 第30-33页 |
| 3.2.1 数学模型的建立 | 第30-31页 |
| 3.2.2 坩埚三维造型及简化 | 第31-32页 |
| 3.2.3 材料物性参数的设定及网格的划分 | 第32-33页 |
| 3.3 冷坩埚定向凝固驼峰内电磁力分布规律 | 第33-37页 |
| 3.3.1 不同电流大小对驼峰内的电磁力的影响规律 | 第33-36页 |
| 3.3.2 不同频率大小对驼峰内的电磁力的影响规律 | 第36-37页 |
| 3.4 冷坩埚定向凝固驼峰内流场的分布规律 | 第37-42页 |
| 3.4.1 不同电流下驼峰内流场的分布规律 | 第37-39页 |
| 3.4.2 不同频率下驼峰内流场的分布规律 | 第39-41页 |
| 3.4.3 不同工艺参数下固液界面处流场的流动情况 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 保温法制备大晶粒太阳能级多晶硅 | 第43-58页 |
| 4.1 前言 | 第43页 |
| 4.2 多晶硅铸锭的制备 | 第43-53页 |
| 4.2.1 硅料的起熔 | 第43-44页 |
| 4.2.2 实验的工艺参数 | 第44页 |
| 4.2.3 多晶硅铸锭分析 | 第44-46页 |
| 4.2.4 宏观组织分析 | 第46-49页 |
| 4.2.5 微观组织分析 | 第49-53页 |
| 4.3 晶界对多晶硅性能的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 保温法晶体长大机理 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 籽晶法制备大晶粒太阳能级多晶硅 | 第58-74页 |
| 5.1 前言 | 第58页 |
| 5.2 籽晶法实验 | 第58-61页 |
| 5.2.1 多晶硅原料的选择 | 第58页 |
| 5.2.2 石墨底托的设计 | 第58-59页 |
| 5.2.3 籽晶的选择 | 第59-61页 |
| 5.2.4 实验参数设定 | 第61页 |
| 5.3 籽晶的熔融 | 第61-67页 |
| 5.3.1 石墨导热对籽晶熔融的影响 | 第61-62页 |
| 5.3.2 石墨毡对籽晶熔融的影响 | 第62-64页 |
| 5.3.3 籽晶处的导热分析 | 第64-67页 |
| 5.4 宏观组织分析 | 第67-69页 |
| 5.5 电学性能分析 | 第69-72页 |
| 5.5.1 电阻率 | 第69-71页 |
| 5.5.2 少数载流子寿命 | 第71-72页 |
| 5.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
