| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 阻变存储器的发展历程 | 第12页 |
| 1.3 阻变机制简介 | 第12-13页 |
| 1.4 阻变材料的分类 | 第13-16页 |
| 1.4.1 有机存储材料 | 第14-15页 |
| 1.4.2 无机存储材料 | 第15-16页 |
| 1.5 选题思路及内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第2章 阻变器件的制备方法和电学测试系统 | 第20-32页 |
| 2.1 概述 | 第20页 |
| 2.2 阻变器件制备方法 | 第20-25页 |
| 2.2.1 沉积薄膜的技术方法 | 第21-22页 |
| 2.2.2 小型溅射仪器 | 第22-23页 |
| 2.2.3 脉冲激光沉积 | 第23-25页 |
| 2.3 一种用于低温测试系统的探针台 | 第25-27页 |
| 2.4 阻变电学测试系统 | 第27-29页 |
| 2.4.1 测试系统相关设备及搭建 | 第27页 |
| 2.4.2 体电阻和界面电阻测试法简介 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第3章 Nd掺杂STO阻变的研究 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 NdSTO的表征 | 第32-35页 |
| 3.2.1 XRD图谱分析 | 第32-34页 |
| 3.2.2 拉曼光谱表征 | 第34页 |
| 3.2.3 霍尔效应结果 | 第34-35页 |
| 3.2.4 四探针测体电阻 | 第35页 |
| 3.3 高纯In电极与NdSTO之间的欧姆接触 | 第35-36页 |
| 3.4 Pt与NdSTO单晶的肖特基接触 | 第36-37页 |
| 3.5 电阻开关性能相关测试 | 第37-45页 |
| 3.5.1 阻变装置的制备和I-V循环测试 | 第37-39页 |
| 3.5.2 不同范围电压扫描引起的多级存储及其R-V曲线 | 第39-40页 |
| 3.5.3 疲劳性和保持性测试 | 第40-41页 |
| 3.5.4 Pt/NdSTO/In器件的时间效应 | 第41页 |
| 3.5.5 光照对Pt/NdSTO/In器件的一些影响 | 第41-42页 |
| 3.5.6 关于R-T曲线的研究 | 第42-44页 |
| 3.5.7 阻变现象的原理及分析 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第4章 Nb掺杂STO材料在温度变化下的阻变现象 | 第48-57页 |
| 4.1.引言 | 第48页 |
| 4.2 NSTO材料的表征 | 第48-51页 |
| 4.2.1 XRD分析 | 第48-49页 |
| 4.2.2 拉曼光谱表征 | 第49-50页 |
| 4.2.3 霍尔效应测试 | 第50-51页 |
| 4.3 s-In/NSTO/o-In器件的制备和测试 | 第51-54页 |
| 4.3.1 s-In/NSTO/o-In器件的制备 | 第51-52页 |
| 4.3.2 s-In/NSTO/o-In器件的变温测试 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第5章 总结和展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57页 |
| 5.2 本文的科研创新点 | 第57-58页 |
| 5.3 未来工作展望 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间待发表的学术论文和专利 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
