| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 偏振成像器件研究现状 | 第11-21页 |
| 1.2.1 亚波长金属光栅研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.2 多取向像素式纳米光栅的研究现状 | 第17-21页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 多取向像素式纳米光栅的理论基础 | 第23-31页 |
| 2.1 光的偏振 | 第23页 |
| 2.2 光波偏振态的描述：Jones 矢量和 Stokes 参数 | 第23-26页 |
| 2.3 亚波长金属光栅工作原理 | 第26页 |
| 2.4 等效介质理论 | 第26-28页 |
| 2.5 时域有限差分法（FDTD） | 第28-31页 |
| 第三章 多取向像素式纳米光栅的理论与设计的理论与设计 | 第31-40页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 光栅基底材料的选择 | 第32页 |
| 3.3 硅基红外波段（3-5μm）亚波长双层金属光栅结构 | 第32-33页 |
| 3.4 亚波长双层金属光栅结构的参数优化 | 第33-37页 |
| 3.4.1 亚波长双层金属光栅结构中过渡层厚度（H_3）的优化 | 第34页 |
| 3.4.2 亚波长双层金属光栅结构中介质光栅厚度（H_2）的优化 | 第34-35页 |
| 3.4.3 亚波长双层金属光栅结构中金属光栅高度（H_1）的优化 | 第35-36页 |
| 3.4.4 亚波长双层金属光栅结构中占空比DC的优化 | 第36-37页 |
| 3.5 亚波长双层金属光栅典型的优化结果 | 第37页 |
| 3.6 亚波长双层金属光栅与传统金属光栅结构的性能比较 | 第37-39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 多取向像素式纳米光栅的制备及性能测量 | 第40-58页 |
| 4.1 实验流程基本介绍 | 第40-48页 |
| 4.2 实验样品制备情况 | 第48-52页 |
| 4.2.1 EBL在表面氧化硅片上制作多取向像素式阵列型光栅掩膜电镜测试 | 第48-50页 |
| 4.2.2 RIE刻蚀制在表面氧化的硅片上制作多取向像素式阵列型光栅电镜测试 | 第50-51页 |
| 4.2.3 金属化后多取向像素式阵列光栅的电镜测试 | 第51-52页 |
| 4.3 双层金属纳米光栅性能测试 | 第52-55页 |
| 4.4 双层金属纳米光栅保护层的设计 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 多取向像素式纳米光栅纳米压印模板的制备 | 第58-67页 |
| 5.1 引言 | 第58-59页 |
| 5.2 纳米压印模板制备流程介绍 | 第59-61页 |
| 5.3 纳米压印模板制备情况 | 第61-63页 |
| 5.4 纳米压印工艺流程介绍 | 第63-65页 |
| 5.5 实验样品制备情况 | 第65-66页 |
| 5.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-70页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
