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P-Cu2O电子结构的第一性原理计算及掺杂改性研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第11-13页
    1.1 引言第11页
    1.2 Cu_2O的基本性质第11-12页
    1.3 Cu_2O的研究现状第12页
    1.4 本文研究内容与意义第12-13页
第2章 理论计算方法第13-17页
    2.1 第一性原理(First principles)介绍第13页
    2.2 密度泛函理论基础(Density-functional theory)第13-15页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn理论第13-14页
        2.2.2 Kohn-Sham方程第14页
        2.2.3 交换相关能量泛函第14-15页
    2.3 计算软件MS的介绍第15-17页
第3章 单掺杂Cu_2O的计算第17-27页
    3.1 未掺杂Cu_2O的计算第17-19页
        3.1.1 计算模型及方法第17页
        3.1.2 几何优化结果第17-18页
        3.1.3 能带结构和态密度第18页
        3.1.4 光学性质第18-19页
    3.2 Cl掺杂Cu_2O的计算第19-22页
        3.2.1 计算模型及方法第20页
        3.2.2 几何优化结果第20-21页
        3.2.3 能带结构和态密度第21-22页
        3.2.4 光学性质第22页
    3.3 Ag掺杂Cu_2O的计算第22-24页
        3.3.1 计算模型及方法第22页
        3.3.2 几何优化结果第22-23页
        3.3.3 能带结构和态密度第23页
        3.3.4 光学性质第23-24页
    3.4 Ce掺杂Cu_2O的计算第24-26页
        3.4.1 计算模型及方法第24-25页
        3.4.2 几何优化结果第25页
        3.4.3 能带结构和态密度第25页
        3.4.4 光学性质第25-26页
    3.5 本章小结第26-27页
第4章 共掺杂Cu_2O的计算第27-34页
    4.1 N-Cl共掺杂Cu_2O的计算第27-29页
        4.1.1 计算模型及方法第27页
        4.1.2 几何优化结果第27-28页
        4.1.3 能带结构和态密度第28-29页
        4.1.4 光学性质第29页
    4.2 Ge-Sn共掺杂Cu_2O的计算第29-33页
        4.2.1 计算模型及方法第30页
        4.2.2 几何优化结果第30-31页
        4.2.3 能带结构和态密度第31-32页
        4.2.4 光学性质第32-33页
    4.3 本章小结第33-34页
第5章 Cu_2O(110)面的研究第34-43页
    5.1 未掺杂Cu_2O(110)面的计算第34-36页
        5.1.1 计算模型及方法第34页
        5.1.2 几何优化结果第34-35页
        5.1.3 能带结构和态密度第35-36页
    5.2 In掺杂Cu_2O(110)表面的计算第36-38页
        5.2.1 计算模型及方法第36页
        5.2.2 几何优化结果第36-37页
        5.2.3 电子态密度和形成能第37-38页
    5.3 Al掺杂Cu_2O(110)表面的计算第38-40页
        5.3.1 计算模型及方法第38页
        5.3.2 几何优化结果第38-39页
        5.3.3 介电函数和形成能第39-40页
    5.4 化合物CO分子吸附在Cu_2O(110)面的计算第40-42页
        5.4.1 CO分子在Cu_2O(110)面的吸附能第40-41页
        5.4.2 Cu_2O(110)面上的CO分子电荷密度变化第41-42页
    5.5 本章小结第42-43页
第6章 结论第43-44页
参考文献第44-49页
致谢第49-50页
攻读硕士期间发表论文第50页

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