| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 太阳能光伏发展的意义 | 第7-8页 |
| 1.2 光伏产业发展 | 第8-12页 |
| 1.3 晶体硅太阳电池的发展潜力 | 第12-14页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章多晶硅太阳电池的绒面技术 | 第15-29页 |
| 2.1 机械刻槽 | 第16-18页 |
| 2.2 激光刻槽 | 第18-19页 |
| 2.3 化学刻槽 | 第19-20页 |
| 2.4 等离子刻蚀（RIE） | 第20-21页 |
| 2.5 酸腐蚀 | 第21-27页 |
| 2.5.1 HF-HNO_3 体系中酸腐蚀反应的机理 | 第21-23页 |
| 2.5.2 HF-HNO_3 腐蚀机理的详细分析 | 第23-25页 |
| 2.5.3 各种反应条件对腐蚀反应的影响 | 第25-27页 |
| 2.6 几种制绒方式的比较 | 第27-28页 |
| 2.7 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章硅片在HF/HNO_3/H20 体系中的腐蚀过程的研究 | 第29-41页 |
| 3.1 反应速度随溶液配比和温度的变化 | 第29-32页 |
| 3.2 腐蚀过程实验 | 第32页 |
| 3.3 腐蚀过程中硅片腐蚀量与反应后溶液的温度随时间的变化 | 第32-35页 |
| 3.4 反应后氟离子随反应时间的变化 | 第35-38页 |
| 3.4.1 沉淀成分确定 | 第35-37页 |
| 3.4.2 反应后溶液中氟离子浓度的计算和测试 | 第37-38页 |
| 3.5 腐蚀反应过程的分析讨论 | 第38-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 硅腐蚀过程中表面形貌与反射率变化 | 第41-49页 |
| 4.1 传质阻和反应动力学阻的共同作用 | 第41-43页 |
| 4.2 不同反应机制下硅片表面形貌在反应过程中的变化 | 第43-45页 |
| 4.3 HF/HNO_3/H_2O 体系中硅片腐蚀过程中的表面形貌和反射率的变化. | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 添加剂氟化铵对硅片酸腐蚀反应的影响 | 第49-57页 |
| 5.1 实验 | 第49-50页 |
| 5.2 氟化铵对腐蚀速度的影响 | 第50-51页 |
| 5.3 反应过程中铵离子消耗量 | 第51-53页 |
| 5.4 反应后的硅片表面形貌及反射率 | 第53-55页 |
| 5.5 氟化铵对反应影响的理论分析 | 第55-56页 |
| 5.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第66-68页 |
