砷化镓固浸透镜电光检测技术
| 第一章 引言 | 第6-10页 |
| 第一节 21世纪的硅微电子学 | 第6-7页 |
| 第二节 集成电路的发展 | 第7-10页 |
| 第二章 电光检测技术的发展 | 第10-19页 |
| 第一节 超快电信号检测技术 | 第10-12页 |
| 第二节 电光检测技术的产生和发展 | 第12-19页 |
| 第三章 电光检测技术原理 | 第19-29页 |
| 第一节 线性电光效应 | 第19-22页 |
| 第二节 电光调制 | 第22-25页 |
| 第三节 纵向电光调制器 | 第25-29页 |
| 第四章 电光固浸透镜 | 第29-44页 |
| 第一节 衍射效应对光学系统空间分辨率的限制 | 第29-33页 |
| 第二节 电光检测的空间分辨率 | 第33-35页 |
| 第三节 固浸透镜(SIL)在电光检测中的应用 | 第35-44页 |
| 4.3.1 固浸透镜的产生 | 第35-37页 |
| 4.3.2 半球型固浸透镜原理 | 第37-38页 |
| 4.3.3 超半球型固浸透镜原理 | 第38-41页 |
| 4.3.4 电光固浸透镜的制作 | 第41-44页 |
| 第五章 GaAs固浸透镜外部电光检测 | 第44-56页 |
| 第一节 陶瓷微带线电信号的测量 | 第44-49页 |
| 5.1.1 检测系统 | 第44-45页 |
| 5.1.2 电光测量 | 第45-46页 |
| 5.1.3 数据分析 | 第46-49页 |
| 第二节 陶瓷微带线横向电场分布的测量 | 第49-56页 |
| 5.2.1 实验装置 | 第49-50页 |
| 5.2.2 电场分布的理论分析 | 第50-52页 |
| 5.2.3 测量结果 | 第52-56页 |
| 结束语 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 摘要 | 第62-65页 |
| Abstract | 第65页 |
