| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-38页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第12-18页 |
| 1.1.1 石墨烯的晶体结构和能带结构 | 第12-16页 |
| 1.1.2 石墨烯中的赝自旋和手性 | 第16-18页 |
| 1.2 石墨烯的制备 | 第18-19页 |
| 1.3 石墨烯的基本电输运特性 | 第19-33页 |
| 1.3.1 双极性特性 | 第19-22页 |
| 1.3.2 弱局域化与弱反局域化 | 第22-26页 |
| 1.3.3 量子霍尔效应 | 第26-29页 |
| 1.3.4 反常霍尔效应与量子反常霍尔效应 | 第29-33页 |
| 1.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 第二章 器件制备及测量 | 第38-54页 |
| 2.1 二维材料复合结构制备 | 第38-41页 |
| 2.1.1 二维材料的机械剥离 | 第38-39页 |
| 2.1.2 定点转移法制备复合结构 | 第39-41页 |
| 2.2 微纳加工技术 | 第41-46页 |
| 2.2.1 电子束曝光 | 第41-42页 |
| 2.2.2 蒸发镀膜 | 第42-43页 |
| 2.2.3 原子层沉积技术 | 第43-45页 |
| 2.2.4 刻蚀技术 | 第45-46页 |
| 2.3 石墨烯的表征 | 第46-49页 |
| 2.4 样品测量 | 第49-51页 |
| 2.4.1 测量系统与方法 | 第49-51页 |
| 2.4.2 石墨烯器件的基本电输运测量 | 第51页 |
| 2.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 石墨烯与第二类超导体NbSe_2复合结构中的近邻效应研究 | 第54-74页 |
| 3.1 研究背景 | 第54-57页 |
| 3.1.1 NbSe_2物性介绍 | 第55-57页 |
| 3.1.2 研究设想 | 第57页 |
| 3.2 Graphene/Al_2O_3/NbSe_2复合结构及器件制备 | 第57-60页 |
| 3.3 Graphene/Al_2O_3/NbSe_2复合结构在弱磁场下的电输运测量 | 第60-65页 |
| 3.3.1 NbSe_2薄片超导特性的表征 | 第60页 |
| 3.3.2 Graphene/Al_2O_3/NbSe_2器件在零磁场附近的磁致电阻率平台 | 第60-62页 |
| 3.3.3 磁致电阻率平台的机制讨论 | 第62-63页 |
| 3.3.4 磁致电阻率平台和电阻率磁滞回线的模型解释 | 第63-65页 |
| 3.4 Graphene/Al_2O_3/NbSe_2复合结构在强磁场下的电输运测量 | 第65-69页 |
| 3.4.1 Graphene/Al_2O_3/NbSe_2器件在强磁场下的电输运特性 | 第65-66页 |
| 3.4.2 磁通涡旋线调制的空间磁场模拟 | 第66-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 第四章 石墨烯与硫化铕复合结构的制备及基本电输运测量 | 第74-98页 |
| 4.1 研究背景 | 第74-79页 |
| 4.1.1 石墨烯中的量子反常霍尔效应 | 第75-76页 |
| 4.1.2 硫化铕的物性 | 第76-77页 |
| 4.1.3 介电环境对石墨烯迁移率的影响 | 第77-78页 |
| 4.1.4 研究设想 | 第78-79页 |
| 4.2 EuS/Graphene复合结构及器件制备 | 第79-86页 |
| 4.2.1 超高真空中热蒸发法制备EuS | 第79-82页 |
| 4.2.2 电子束热蒸发法制备EuS | 第82-84页 |
| 4.2.3 EuS/graphene复合结构器件的制备 | 第84-86页 |
| 4.3 EuS/Graphene器件的电输运测量 | 第86-91页 |
| 4.3.1 EuS覆盖层有效提高石墨烯的迁移率 | 第86-89页 |
| 4.3.2 EuS/Graphene复合结构中的霍尔效应和磁致电阻效应 | 第89-90页 |
| 4.3.3 Graphene/EuS复合结构中的霍尔效应和磁致电阻效应 | 第90-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-98页 |
| 第五章 石墨烯与硫化铕的复合结构中自旋轨道耦合和交换场的研究 | 第98-114页 |
| 5.1 研究背景 | 第98-100页 |
| 5.1.1 非局域测量研究石墨烯中的自旋轨道耦合 | 第98-99页 |
| 5.1.2 非局域测量研究石墨烯中的交换场 | 第99-100页 |
| 5.2 EuS/Graphene器件的非局域输运测量 | 第100-109页 |
| 5.2.1 EuS/Graphene器件中的自旋轨道耦合效应 | 第101页 |
| 5.2.2 EuS/Graphene器件中的Zeeman自旋霍尔效应 | 第101-105页 |
| 5.2.3 低磁场下EuS/Graphene复合结构中的交换场 | 第105-107页 |
| 5.2.4 高磁场下EuS/Graphene复合结构中的交换场 | 第107-108页 |
| 5.2.5 从经典向QHE区域过渡时交换场对R_(NL.D)的影响 | 第108-109页 |
| 5.3 本章小结 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第六章 总结与展望 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第118页 |
