| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 拓扑绝缘体和拓扑能带理论 | 第20-54页 |
| 1.1 量子反常霍尔效应 | 第20-25页 |
| 1.2 边界态 | 第25-32页 |
| 1.3 时间反演不变的拓扑绝缘体和Z_2拓扑数 | 第32-44页 |
| 1.4 拓扑半金属 | 第44-49页 |
| 1.4.1 狄拉克半金属和外尔半金属 | 第44-47页 |
| 1.4.2 费米弧 | 第47页 |
| 1.4.3 拓扑结点线半金属 | 第47-49页 |
| 1.5 量子输运理论 | 第49-54页 |
| 1.5.1 线性响应和久保公式 | 第49-53页 |
| 1.5.2 朗道公式 | 第53-54页 |
| 第二章 无序问题的理论框架 | 第54-82页 |
| 2.1 图形微扰论和自洽理论 | 第54-68页 |
| 2.2 重整化群的分析 | 第68-80页 |
| 2.3 标度函数理论 | 第80-82页 |
| 第三章 拓扑绝缘体电子结构与其输运性质及调控 | 第82-100页 |
| 3.1 空间周期势导致的拓扑相变 | 第82-92页 |
| 3.1.1 HgTe/CdTe量子阱模型 | 第82-83页 |
| 3.1.2 周期势对HgTe/CdTe量子阱能带的影响 | 第83-88页 |
| 3.1.3 周期势诱导的HgTe/CdTe量子阱拓扑高电导平台 | 第88-91页 |
| 3.1.4 小结 | 第91-92页 |
| 3.2 吸附原子产生的硅烯能隙中的束缚态 | 第92-100页 |
| 3.2.1 硅烯杂质吸附的紧束缚模型 | 第92-93页 |
| 3.2.2 硅烯上的吸附原子导致的局域态密度 | 第93-95页 |
| 3.2.3 束缚态的局域化长度 | 第95-96页 |
| 3.2.4 有限吸附浓度的结果和分析 | 第96-98页 |
| 3.2.5 小结 | 第98-100页 |
| 第四章 无序对狄拉克半金属准粒子及其输运性质影响的研究 | 第100-122页 |
| 4.1 三维狄拉克半金属中半金属到扩散金属的量子临界点附近准粒子性质研究 | 第100-115页 |
| 4.1.1 三维狄拉克半金属紧束缚模型和自能计算和分析 | 第102-108页 |
| 4.1.2 有限温直流电导率 | 第108-112页 |
| 4.1.3 高斯关联无序下的自能 | 第112页 |
| 4.1.4 空位无序导致的狄拉克点处的反常色散 | 第112-115页 |
| 4.1.5 小结 | 第115页 |
| 4.2 强散射区石墨烯准粒子性质研究 | 第115-122页 |
| 4.2.1 自能计算结果和分析 | 第115-119页 |
| 4.2.2 电导率计算结果 | 第119-120页 |
| 4.2.3 小结 | 第120-122页 |
| 第五章 总结和展望 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-130页 |
| 附录A 石墨烯体系中几个格林函数积分 | 第130-132页 |
| 附录B 非零Z2的阻塞 | 第132-136页 |
| 附录C 陈数和极化函数的关系 | 第136-138页 |
| 附录D 无序的对称性分析 | 第138-140页 |
| 附录E 重整化群单圈自能和相互作用修正计算 | 第140-144页 |
| 附录F Lanczos迭代方案 | 第144-146页 |
| 附录G 实空间Kubo公式 | 第146-148页 |
| G.1 dln(X(s)/ds的结果 | 第146页 |
| G.2 实空间Kubo公式 | 第146-148页 |
| 附录H 2D拓扑绝缘体中杂质引入的束缚态 | 第148-152页 |
| 附录I 维数重整化 | 第152-156页 |
| 致谢 | 第156-158页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第158页 |
