| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 纳米材料概述 | 第13-19页 |
| 1.2.1 纳米材料的介绍 | 第13-14页 |
| 1.2.2 纳米材料的性质 | 第14-15页 |
| 1.2.3 纳米材料的应用 | 第15-16页 |
| 1.2.4 纳米材料的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.3 In_2Se_3纳米材料的研究现状 | 第19-29页 |
| 1.3.1 In_2Se_3材料的结构和性质 | 第19-20页 |
| 1.3.2 In_2Se_3纳米材料的应用 | 第20-21页 |
| 1.3.3 In_2Se_3纳米线的研究现状 | 第21-25页 |
| 1.3.4 In_2Se_3纳米片的研究现状 | 第25-29页 |
| 1.4 本课题的立体依据和主要研究内容 | 第29-30页 |
| 1.4.1 选题的目的和意义 | 第29页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-39页 |
| 第二章 实验设备和表征手段 | 第39-49页 |
| 2.1 高温真空管式炉系统 | 第39-40页 |
| 2.2 扫描电子显微镜 | 第40页 |
| 2.3 透射电子显微镜 | 第40-42页 |
| 2.4 紫外可见分光光度计 | 第42页 |
| 2.5 激光共聚焦显微拉曼光谱仪 | 第42-43页 |
| 2.6 X 射线粉末衍射仪 | 第43-44页 |
| 2.7 扫描探针显微镜 | 第44-45页 |
| 2.8 光刻系统 | 第45-46页 |
| 2.9 电子束蒸发镀膜仪 | 第46-47页 |
| 2.10 半导体参数分析系统 | 第47页 |
| 2.11 氦气闭循环低温探针台 | 第47-48页 |
| 2.12 可调单色光源 | 第48-49页 |
| 第三章 In_2Se_3纳米线的可控制备与表征 | 第49-67页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 In_2Se_3纳米线的合成 | 第49-51页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第49-50页 |
| 3.2.2 In_2Se_3纳米线的制备方法 | 第50-51页 |
| 3.3 In_2Se_3纳米线的表征 | 第51-55页 |
| 3.3.1 In_2Se_3纳米线的形貌和化学成分表征 | 第51-53页 |
| 3.3.2 In_2Se_3纳米线的晶体结构表征 | 第53-54页 |
| 3.3.3 In_2Se_3纳米线的光吸收特性表征 | 第54-55页 |
| 3.4 In_2Se_3纳米线的生长机理 | 第55页 |
| 3.5 In_2Se_3纳米线合成过程中的影响因数 | 第55-62页 |
| 3.5.1 温度对 In_2Se_3纳米线合成的影响 | 第55-57页 |
| 3.5.2 压力对 In_2Se_3纳米线合成的影响 | 第57页 |
| 3.5.3 气流量对 In_2Se_3纳米线合成的影响 | 第57-58页 |
| 3.5.4 催化剂对 In_2Se_3纳米线合成的影响 | 第58-60页 |
| 3.5.5 生长时间对 In_2Se_3纳米线合成的影响 | 第60-61页 |
| 3.5.6 基片的摆放对 In_2Se_3纳米线合成的影响 | 第61-62页 |
| 3.6 In_2Se_3纳米线阵列的合成 | 第62-63页 |
| 3.7 小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第四章 基于 In_2Se_3纳米线的光探测器 | 第67-81页 |
| 4.1 引言 | 第67页 |
| 4.2 In_2Se_3纳米线器件的构建 | 第67-70页 |
| 4.2.1 In_2Se_3纳米线的分散 | 第67-69页 |
| 4.2.2 单根 In_2Se_3纳米线器件的构建 | 第69-70页 |
| 4.2.3 In_2Se_3纳米线薄膜器件的构建 | 第70页 |
| 4.3 In_2Se_3纳米线器件的光电性能 | 第70-77页 |
| 4.3.1 单根 In_2Se_3纳米线器件的电学性能 | 第70-71页 |
| 4.3.2 单根 In_2Se_3纳米线器件的光响应性能 | 第71-72页 |
| 4.3.3 气氛对光电性能的影响 | 第72-73页 |
| 4.3.4 不同波长下的光电性能 | 第73-74页 |
| 4.3.5 不同光强下的光电性能 | 第74-75页 |
| 4.3.6 不同温度下的光电性能 | 第75-76页 |
| 4.3.7 In_2Se_3纳米线薄膜器件的光电性能 | 第76-77页 |
| 4.4 小结 | 第77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 第五章 In_2Se_3纳米片的制备与表征 | 第81-95页 |
| 5.1 引言 | 第81页 |
| 5.2 In_2Se_3纳米片的合成 | 第81-83页 |
| 5.2.1 实验原料 | 第81-82页 |
| 5.2.2 In_2Se_3纳米片的制备方法 | 第82-83页 |
| 5.3 In_2Se_3纳米片的表征 | 第83-89页 |
| 5.3.1 In_2Se_3纳米片的形貌表征 | 第83-84页 |
| 5.3.2 In_2Se_3纳米片的厚度表征 | 第84-86页 |
| 5.3.3 In_2Se_3纳米片的化学成分分析 | 第86-87页 |
| 5.3.4 In_2Se_3纳米片的晶体结构分析 | 第87-88页 |
| 5.3.5 In_2Se_3纳米片的拉曼谱学表征 | 第88-89页 |
| 5.4 In_2Se_3纳米片的生长机理 | 第89-91页 |
| 5.5 小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第六章 基于 In_2Se_3纳米片的光电器件 | 第95-112页 |
| 6.1 引言 | 第95页 |
| 6.2 In_2Se_3纳米片器件的构建 | 第95-96页 |
| 6.2.1 In_2Se_3纳米片的分散 | 第95-96页 |
| 6.2.2 In_2Se_3纳米片器件的构建 | 第96页 |
| 6.3 In_2Se_3纳米片的光电性能 | 第96-107页 |
| 6.3.1 In_2Se_3纳米片的基本电学性能测试 | 第96-98页 |
| 6.3.2 In_2Se_3纳米片的光响应性能 | 第98页 |
| 6.3.3 In_2Se_3纳米片的电学各向异性 | 第98-100页 |
| 6.3.4 In_2Se_3纳米片的光响应各向异性 | 第100-101页 |
| 6.3.5 栅极电压调控的光开关效应 | 第101-102页 |
| 6.3.6 In_2Se_3纳米片的光栅极效应 | 第102-103页 |
| 6.3.7 不同温度下的 In_2Se_3纳米片的光电性能 | 第103-106页 |
| 6.3.8 基于 In_2Se_3纳米片的光伏器件 | 第106-107页 |
| 6.4 小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-112页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第112-115页 |
| 7.1 总结 | 第112-113页 |
| 7.2 展望 | 第113-115页 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 | 第115-116页 |
| 论文 | 第115页 |
| 专利 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
