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导体介质组合体电磁散射的退化核快速解法研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-12页
    1.1 课题的研究背景与意义第8页
    1.2 研究历史与现状第8-10页
    1.3 本文的主要贡献及组织结构第10-12页
        1.3.1 本文的主要贡献第10页
        1.3.2 本文的组织结构第10-12页
第二章 H 矩阵概述第12-19页
    2.1 簇树第12-13页
    2.2 块簇树第13页
    2.3 可容性条件第13-14页
    2.4 H 矩阵第14-18页
        2.4.1 H 矩阵的构建第14-15页
        2.4.2 H 矩阵的填充第15-16页
        2.4.3 H 矩阵的存储量第16-17页
        2.4.4 H 矩阵与向量相乘的运算量第17-18页
    2.5 本章小结第18-19页
第三章 导体介质组合体表面积分方程及其矩量法求解第19-37页
    3.1 等效原理及介质目标表面积分方程第19-22页
    3.2 全涂覆目标表面积分方程第22-24页
    3.3 部分涂覆目标表面积分方程第24-26页
        3.3.1 部分涂覆目标表面积分方程的建立第24-26页
        3.3.2 导体-介质交界面基函数的处理第26页
    3.4 积分方程的矩量法求解第26-33页
        3.4.1 方程的离散第27-29页
        3.4.2 阻抗元素的奇异性处理第29-31页
        3.4.3 线性方程组的求解第31-32页
        3.4.4 雷达散射截面(RCS)第32-33页
    3.5 数值例算第33-35页
        3.5.1 介质目标第33-34页
        3.5.2 完全涂覆目标第34页
        3.5.3 部分涂覆目标第34-35页
    3.6 本章小结第35-37页
第四章 H 矩阵方法应用于求解导体介质组合目标第37-51页
    4.1 H 矩阵的划分第37-39页
        4.1.1 近区和远区的划分第37-38页
        4.1.2 公共边重新编号第38-39页
    4.2 核函数的退化第39-43页
        4.2.1 Lagrange 插值第39-40页
        4.2.2 H 矩阵远区块的填充第40-43页
        4.2.3 误差分析第43页
    4.3 数值例算第43-50页
        4.3.1 例算 RCS 分析第44-46页
        4.3.2 精度控制第46-48页
        4.3.3 H 矩阵存储量与运算量分析第48-50页
    4.4 本章小结第50-51页
第五章 总结与展望第51-53页
    5.1 本文总结第51页
    5.2 展望第51-53页
参考文献第53-56页
附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文第56-57页
附录 2 攻读硕士学位期间参加的科研项目第57-58页
致谢第58页

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