| 第一章 综述 | 第8-49页 |
| 1.1 研究现状 | 第8-22页 |
| 1.1.1 金属—绝缘体颗粒薄膜系统的微观结构与电阻率 | 第11-12页 |
| 1.1.2 磁性金属颗粒薄膜的 TMR 效应 | 第12-17页 |
| 1.1.3 巨霍耳效应 | 第17-19页 |
| 1.1.4 磁性金属—绝缘体颗粒薄膜的磁性能 | 第19-22页 |
| 1.2 理论背景 | 第22-47页 |
| 1.2.1 颗粒薄膜系统的电输运理论 | 第23-29页 |
| 1.2.2 颗粒薄膜系统的磁电阻理论 | 第29-42页 |
| 1.2.3 颗粒薄膜中的霍耳效应理论 | 第42-45页 |
| 1.2.4 金属—绝缘体颗粒薄膜的逾渗理论 | 第45-47页 |
| 1.3 本论文的工作 | 第47-49页 |
| 第二章 颗粒薄膜的制备、结构表征与物性测量 | 第49-57页 |
| 2.1 金属—绝缘体颗粒薄膜的制备 | 第49-53页 |
| 2.1.1 薄膜沉积 | 第49-53页 |
| 2.1.2 退火处理 | 第53页 |
| 2.2 样品的成份和结构表征 | 第53-54页 |
| 2.2.1 成份的控制和表征 | 第53页 |
| 2.2.2 X 射线衍射分析 | 第53-54页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 | 第54页 |
| 2.3 低温技术及输运特性的测量 | 第54-57页 |
| 2.3.1 电阻率测量 | 第55页 |
| 2.3.2 霍耳电阻的测量 | 第55-56页 |
| 2.3.3 磁化曲线测量 | 第56-57页 |
| 第三章 Cu/Zn-SiO_2颗粒薄膜的电输运特性研究 | 第57-78页 |
| 3.1 Cu-SiO_2颗粒薄膜的电输运特性 | 第57-69页 |
| 3.1.1 电阻率与经典逾渗阈值的确定 | 第57-61页 |
| 3.1.2 磁电阻 | 第61-63页 |
| 3.1.3 巨霍耳效应 | 第63-66页 |
| 3.1.4 巨霍耳效应的局域量子干涉理论 | 第66-69页 |
| 3.2 Zn-SiO_2颗粒薄膜的电输运特性 | 第69-76页 |
| 3.2.1 电阻率与磁电阻 | 第69-73页 |
| 3.2.2 霍耳效应 | 第73-76页 |
| 3.3 本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 NiFe-SiO_2、Fe-Ge颗粒薄膜的结构和电输运特性 | 第78-102页 |
| 4.1 NiFe-SiO_2颗粒薄膜的结构和输运特性 | 第78-92页 |
| 4.1.1 TEM 结构分析 | 第78-82页 |
| 4.1.2 电阻率 | 第82-85页 |
| 4.1.3 逾渗结构对霍耳系数的增强作用 | 第85-88页 |
| 4.1.4 薄膜厚度的减小对霍耳系数的增强效应 | 第88-90页 |
| 4.1.5 磁性能 | 第90-92页 |
| 4.2 Fe-Ge 颗粒薄膜的霍耳电阻 | 第92-101页 |
| 4.2.1 霍耳器件的一般描述 | 第93-94页 |
| 4.2.2 低磁场下的霍耳电阻 | 第94-96页 |
| 4.2.3 霍耳电阻的技术参数 | 第96-100页 |
| 4.2.4 微观结构 | 第100-101页 |
| 4.3 本章小结 | 第101-102页 |
| 第五章 Fe_3O_4/Fe_3O_4-SiO_2颗粒薄膜的结构和电输运特性 | 第102-132页 |
| 5.1 结构表征与成份测量 | 第102-110页 |
| 5.1.1 XRD 结构分析 | 第103-104页 |
| 5.1.2 透射电子显微镜分析 | 第104-108页 |
| 5.1.3 X 射线光电子谱分析 | 第108-110页 |
| 5.2 Fe_3O_4薄膜的输运特性 | 第110-127页 |
| 5.2.1 电阻率 | 第110-112页 |
| 5.2.2 隧穿型磁电阻 | 第112-119页 |
| 5.2.3 霍耳效应 | 第119-121页 |
| 5.2.4 磁性能 | 第121-127页 |
| 5.3 Fe_3O_4-SiO_2薄膜的电输运特性 | 第127-131页 |
| 5.3.1 电阻率 | 第127-129页 |
| 5.3.2 磁电阻 | 第129-131页 |
| 5.4 本章小结 | 第131-132页 |
| 第六章 结论 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-151页 |
| 攻读博士学位期间完成的学术论文 | 第151-153页 |
| 致谢 | 第153页 |
