| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 石墨烯的结构和性质 | 第11-18页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构 | 第11-15页 |
| 1.1.2 石墨烯的电学性质 | 第15-16页 |
| 1.1.3 石墨烯的力/热学性质 | 第16页 |
| 1.1.4 石墨烯的光学性质 | 第16-18页 |
| 1.2 石墨烯的制备方法 | 第18-22页 |
| 1.2.1 微机械剥离法 | 第18页 |
| 1.2.2 热解碳化硅外延生长法 | 第18-19页 |
| 1.2.3 氧化还原法 | 第19-20页 |
| 1.2.4 化学气相沉积法 | 第20-22页 |
| 1.3 石墨烯的转移方法 | 第22-26页 |
| 1.3.1 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)转移法 | 第22-23页 |
| 1.3.2 热释放胶带转移法 | 第23-24页 |
| 1.3.3 其他转移方法 | 第24-26页 |
| 1.4 石墨烯基透明导电薄膜研究现状及存在的问题 | 第26-27页 |
| 1.5 本论文的研究目的和内容 | 第27-29页 |
| 第二章 金属Cu基底上4层左右石墨烯的制备与研究 | 第29-41页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-32页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第30页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第30页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第30-32页 |
| 2.3 样品表征及数据分析 | 第32-39页 |
| 2.3.1 生长温度的影响 | 第33-35页 |
| 2.3.2 生长基底的影响 | 第35-36页 |
| 2.3.3 碳源的影响 | 第36-38页 |
| 2.3.4 生长时间的影响 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小节 | 第39-41页 |
| 第三章 直接接触转移法制备石墨烯基透明导电薄膜 | 第41-55页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42-44页 |
| 3.2.1 实验药品 | 第42页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第42-43页 |
| 3.2.3 实验过程 | 第43-44页 |
| 3.3 样品表征及数据分析 | 第44-53页 |
| 3.3.1 直接接触转移法将石墨烯转移至PET基底上 | 第46-47页 |
| 3.3.2 直接接触转移法将石墨烯转移至玻璃基底上 | 第47-49页 |
| 3.3.3 直接接触转移法将石墨烯转移至SiO_2/Si基底上 | 第49-50页 |
| 3.3.4 “上部”直接接触转移法将石墨烯转移至PET基底上 | 第50-52页 |
| 3.3.5 石墨烯基透明导电薄膜性能分析 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小节 | 第53-55页 |
| 第四章 总结与展望 | 第55-56页 |
| 4.1 论文总结 | 第55页 |
| 4.2 工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 在校期间发表的论文、科研成果等 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
