| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-18页 |
| 1.2 国内外研究概况 | 第18-20页 |
| 1.2.1 国外研究概况 | 第18-20页 |
| 1.2.2 国内研究概况 | 第20页 |
| 1.3 论文的主要工作和内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 PiN二极管工作机制与电学特性 | 第22-34页 |
| 2.1 PiN二极管的结构及工作机制 | 第22-23页 |
| 2.2 PiN二极管的电学特性 | 第23-31页 |
| 2.3 等离子体特性 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 大注入条件下SOI基PiN二极管载流子浓度分布研究 | 第34-56页 |
| 3.1 载流子浓度随偏置电压的关系 | 第34-35页 |
| 3.2 禁带宽度变窄对本征区载流子浓度的影响 | 第35-39页 |
| 3.3 复合对本征区载流子浓度的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.1 SRH复合 | 第39-40页 |
| 3.3.2 Auger复合 | 第40-41页 |
| 3.3.3 SRH和Auger复合对本征区载流子浓度的影响 | 第41-44页 |
| 3.4 散射对本征区载流子浓度及其分布的影响 | 第44-49页 |
| 3.4.1 电离杂质散射 | 第45-46页 |
| 3.4.2 载流子间散射 | 第46-47页 |
| 3.4.3 散射对本征区载流子浓度及其分布的影响 | 第47-49页 |
| 3.5 温度对本征区载流子浓度的影响 | 第49-55页 |
| 3.5.1 温度与本征载流子浓度的关系 | 第49-50页 |
| 3.5.2 温度对复合率的影响 | 第50-51页 |
| 3.5.3 温度对迁移率的影响 | 第51-53页 |
| 3.5.4 温度对本征区载流子浓度的影响 | 第53-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 SOI和GOI基横向PiN二极管的设计 | 第56-76页 |
| 4.1 SOI基横向Pi N二极管设计 | 第56-68页 |
| 4.1.1 PiN二极管几何结构设计 | 第56-64页 |
| 4.1.2 PiN二极管各区域的掺杂设计 | 第64-68页 |
| 4.2 GOI基横向PiN二极管设计 | 第68-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |