| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 激光通信及光束偏转研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 光束偏转构件分类及其发展情况 | 第10-14页 |
| 1.2.1 机械偏转 | 第10-11页 |
| 1.2.2 电光偏转 | 第11-12页 |
| 1.2.3 声光偏转 | 第12-13页 |
| 1.2.4 液晶偏转 | 第13-14页 |
| 1.3 反铁电材料及其特征 | 第14-16页 |
| 1.3.1 电场诱导PLZT反铁电材料相变 | 第15-16页 |
| 1.3.2 温度和压力场诱导相变 | 第16页 |
| 1.4 反铁电厚膜材料的制备方法研究 | 第16-17页 |
| 1.5 研究内容及方法 | 第17-20页 |
| 2 硅基PLZT反铁电厚膜异质集成制造及其场致相变行为研究 | 第20-35页 |
| 2.1 PLZT厚膜的制备 | 第20-22页 |
| 2.2 厚膜性能测试 | 第22-23页 |
| 2.3 铅过量程度对于PLZT厚膜的影响 | 第23-26页 |
| 2.4 引入缓冲层对于PLZT厚膜的影响 | 第26-30页 |
| 2.5 PLZT反铁电场致相变行为研究 | 第30-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 硅基桥式结构微振镜的设计与仿真 | 第35-45页 |
| 3.1 微振镜桥结构的力学分析 | 第35-38页 |
| 3.2 COMSOL仿真分析 | 第38-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 4 硅基PLZT厚膜微振镜的工艺设计及制造 | 第45-63页 |
| 4.1 微振镜桥结构掩膜版图及工艺流程设计 | 第45-47页 |
| 4.2 PLZT厚膜刻蚀性 | 第47-50页 |
| 4.3 基底硅刻蚀性 | 第50-54页 |
| 4.4 桥结构微振镜制造 | 第54-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 5 硅基反铁电微振镜的封装及初步测试 | 第63-70页 |
| 5.1 微振镜的封装 | 第63-64页 |
| 5.2 POLYTEC激光多普勒仪测试原理 | 第64-66页 |
| 5.3 微振镜桥结构挠度测试 | 第66-68页 |
| 5.4 微振镜桥结构偏转角度计算 | 第68页 |
| 5.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 6 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 主要完成工作 | 第70-71页 |
| 6.2 主要创新点 | 第71页 |
| 6.3 未来工作展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的研究成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |