| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-19页 |
| 1.1.1 SiO_2栅介质MOSFETs低频噪声特性 | 第16页 |
| 1.1.2 高k材料代替SiO_2作为MOSFETs栅介质 | 第16-17页 |
| 1.1.3 高k栅介质MOSFETs 1/f低频噪声特性 | 第17-19页 |
| 1.2 研究目的和意义 | 第19-20页 |
| 1.3 论文结构 | 第20-22页 |
| 第二章 高k栅介质MOSFETs载流子的迁移率特性 | 第22-40页 |
| 2.1 高k栅介质MOSFETs反型层载流子的迁移率 | 第22-24页 |
| 2.2 玻尔兹曼载流子输运理论 | 第24-29页 |
| 2.3 基于库伦散射和表面粗糙度散射的迁移率特性 | 第29-36页 |
| 2.4 基于软光学声子散射的迁移率特性 | 第36-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 小尺寸MOSFETs的量子力学效应与 1/f噪声 | 第40-56页 |
| 3.1 小尺寸MOS器件的量子力学效应分析 | 第40-49页 |
| 3.1.1 量子隧穿效应 | 第40-41页 |
| 3.1.2 能量量子化效应 | 第41-44页 |
| 3.1.3 自洽求解泊松方程和薛定谔方程——量子化能级 | 第44-49页 |
| 3.2 小尺寸MOSFETs的 1/f噪声 | 第49-54页 |
| 3.2.1 1/f基本噪声模型 | 第50-52页 |
| 3.2.3 1/f统一噪声模型 | 第52-54页 |
| 3.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 金属/高k栅介质MOSFETs的 1/f噪声研究 | 第56-76页 |
| 4.1 现有高k栅介质MOSFETs 1/f噪声模型讨论 | 第56-63页 |
| 4.1.1 多层统一噪声模型 | 第56-59页 |
| 4.1.2 基于隧穿系数的多层统一噪声模型的改进 | 第59-63页 |
| 4.2 基于库伦散射和表面粗糙度散射的迁移率涨落的 1/f噪声模型的研究 | 第63-64页 |
| 4.3 高k栅介质MOSFETs 1/f噪声参数分析 | 第64-69页 |
| 4.3.1 基于 1/f噪声新模型的远程库伦散射和表面粗糙度散射的散射系数的计算 | 第64-67页 |
| 4.3.2 关于确定 1/f噪声主导机制的数值模拟 | 第67-69页 |
| 4.4 高k栅介质MOSFETs 1/f噪声测试 | 第69-74页 |
| 4.4.1 器件结构和简单制造工艺 | 第69-71页 |
| 4.4.2 测试系统搭建 | 第71-73页 |
| 4.4.3 测试方案设计 | 第73-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 总结 | 第76-77页 |
| 5.2 展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |
