| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 宽带高效率射频功放研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 基于SIW的背腔阵列天线研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 论文的主要内容及安排 | 第13-14页 |
| 第二章 功率晶体管基础 | 第14-19页 |
| 2.1 LDMOS晶体管 | 第14-15页 |
| 2.2 GaAs晶体管 | 第15-16页 |
| 2.3 SiC与GaN晶体管 | 第16-18页 |
| 2.3.1 SiC晶体管 | 第16-17页 |
| 2.3.2 GaN晶体管 | 第17-18页 |
| 2.4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 开关类功率放大器基础 | 第19-32页 |
| 3.1 功率放大器性能指标 | 第19-22页 |
| 3.1.1 输出功率 | 第19页 |
| 3.1.2 效率 | 第19-20页 |
| 3.1.3 线性度 | 第20-21页 |
| 3.1.4 带宽与稳定性 | 第21-22页 |
| 3.2 D类射频功率放大器 | 第22-24页 |
| 3.3 E类射频功率放大器 | 第24-26页 |
| 3.3.1 具有并联电容的E类功放 | 第24-25页 |
| 3.3.2 具有并联电路的E类功放 | 第25-26页 |
| 3.4 F类与逆F类射频功率放大器 | 第26-28页 |
| 3.4.1 F类射频功放 | 第26-27页 |
| 3.4.2 逆F类射频功放 | 第27-28页 |
| 3.5 连续F类射频功率放大器 | 第28-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 应用于北斗卫星导航系统的射频功放设计 | 第32-43页 |
| 4.1 北斗卫星导航系统 | 第32-33页 |
| 4.2 射频功放设计指标 | 第33页 |
| 4.3 介质基板的选择 | 第33页 |
| 4.4 功放晶体管的选择 | 第33-34页 |
| 4.5 宽带连续F类射频功放设计 | 第34-40页 |
| 4.5.1 静态工作点的设置 | 第34-35页 |
| 4.5.2 偏置电路的设计 | 第35-36页 |
| 4.5.3 输入输出匹配电路设计 | 第36-40页 |
| 4.6 宽带高效率连续F类功放的实现与调试 | 第40-42页 |
| 4.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 天线基本理论及LTCC工艺 | 第43-50页 |
| 5.1 天线 | 第43页 |
| 5.2 天线的电参数 | 第43-44页 |
| 5.2.1 天线的方向特性 | 第43-44页 |
| 5.2.2 天线的效率 | 第44页 |
| 5.2.3 极化特性 | 第44页 |
| 5.2.4 频带宽度 | 第44页 |
| 5.3 微带天线设计基础 | 第44-47页 |
| 5.3.1 微带天线的概念和结构 | 第45页 |
| 5.3.2 微带天线的馈电方式 | 第45-46页 |
| 5.3.3 微带天线的研究进展 | 第46-47页 |
| 5.4 基片集成波导原理 | 第47-48页 |
| 5.5 低温共烧陶瓷工艺 | 第48-49页 |
| 5.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 基于SIW的背腔阵列天线设计 | 第50-57页 |
| 6.1 前言 | 第50页 |
| 6.2 微带T型功分器的设计 | 第50-51页 |
| 6.3 基于SIW技术的背腔阵列天线设计 | 第51-55页 |
| 6.3.1 2x1形式的SIW-Cavity阵列设计 | 第51-52页 |
| 6.3.2 2x2形式的SIW-Cavity阵列设计 | 第52-54页 |
| 6.3.3 4x4形式的SIW-Cavity阵列设计 | 第54-55页 |
| 6.4 2x2阵列天线加工与测试 | 第55-56页 |
| 6.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第七章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 7.1 总结 | 第57-58页 |
| 7.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 附录 | 第65页 |
