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用于微执行器的PZT压电薄膜制备与表征

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-20页
    1.1 引言第9页
    1.2 PZT压电薄膜的研究现状与制备方法第9-15页
    1.3 PZT压电材料的结构与性质第15-19页
    1.4 论文的研究意义和研究内容第19-20页
2 PZT溶胶凝胶的配制与PZT薄膜表征方法第20-29页
    2.1 PZT溶胶凝胶的配制第20-21页
    2.2 PZT溶胶凝胶的旋涂方法第21-23页
        2.2.1 溶胶凝胶的旋涂第21-22页
        2.2.2 PZT薄膜热处理步骤第22-23页
    2.3 PZT薄膜的表征方法第23-28页
        2.3.1 PZT薄膜厚度的表征方法第23-24页
        2.3.2 PZT薄膜晶向的表征方法第24-25页
        2.3.3 PZT薄膜微观形貌的表征方法第25-26页
        2.3.4 PZT薄膜介电性能的表征方法第26页
        2.3.5 PZT薄膜极化性能的表征方法第26-27页
        2.3.6 PZT薄膜振动性能的表征方法第27-28页
    2.4 本章小结第28-29页
3 PZT薄膜的制备与表征第29-50页
    3.1 概述第29-32页
    3.2 多晶PZT薄膜的制备与表征第32-40页
        3.2.1 不同退火温度制得的PZT薄膜晶向与微观结构表征第32-36页
        3.2.2 不同退火时间制得的PZT薄膜晶向与微观结构表征第36-37页
        3.2.3 不同铅含量的溶液制得的PZT薄膜晶向与微观结构表征第37-40页
    3.3 (100)取向PZT薄膜的制备与表征第40-47页
        3.3.1 (100)取向PZT薄膜的制备与晶向结构表征第40-44页
        3.3.2 (100)取向PZT薄膜的微观结构表征第44-46页
        3.3.3 (100)取向PZT薄膜的介电性能表征第46-47页
        3.3.4 (100)取向PZT薄膜的极化性能表征第47页
    3.4 PZT薄膜(100)方向择优生长机理第47-49页
    3.5 本章小结第49-50页
4 掺杂PZT薄膜的制备与表征第50-61页
    4.1 概述第50页
    4.2 PYZT薄膜的制备与表征第50-54页
        4.2.1 PYZT薄膜的晶向结构表征第50-52页
        4.2.2 PYZT薄膜的极化性能表征第52-53页
        4.2.3 PYZT薄膜的介电性能表征第53-54页
    4.3 PMZT薄膜的制备与表征第54-57页
        4.3.1 PMZT薄膜的晶向结构表征第54-55页
        4.3.2 PMZT薄膜的极化性能表征第55-56页
        4.3.3 PMZT薄膜的介电性能表征第56-57页
    4.4 PSZT薄膜的制备与表征第57-60页
        4.4.1 PSZT薄膜的晶向结构表征第57-58页
        4.4.2 PSZT薄膜的极化性能表征第58-59页
        4.4.3 PSZT薄膜的介电性能表征第59-60页
    4.5 本章小结第60-61页
5 压电微执行器的制作与性能表征第61-68页
    5.1 概述第61-64页
    5.2 压电微执行器的制作第64-65页
    5.3 压电微执行器的振动性能表征第65-67页
    5.4 本章小结第67-68页
总结与展望第68-70页
参考文献第70-74页
致谢第74-75页
攻读硕士期间发表学术论文情况第75-76页

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