| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-34页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-15页 |
| 1.1.1 IC制程及其薄膜工艺 | 第10-12页 |
| 1.1.2 化学气相沉积工艺及装备简介 | 第12-15页 |
| 1.2 研究现状综述 | 第15-29页 |
| 1.2.1 薄膜沉积反应腔室多场研究 | 第15-19页 |
| 1.2.2 典型薄膜沉积工艺机理及建模仿真研究 | 第19-21页 |
| 1.2.3 薄膜沉积反应腔室设计优化研究 | 第21-27页 |
| 1.2.4 薄膜沉积工艺调控方法研究 | 第27-29页 |
| 1.3 问题的提出 | 第29-31页 |
| 1.4 论文的研究思路及内容 | 第31-34页 |
| 第2章 反应腔室多场子系统建模及其特性分析 | 第34-68页 |
| 2.1 流场建模及其特性分析 | 第34-47页 |
| 2.1.1 反应腔室输运结构与气流参数 | 第35-36页 |
| 2.1.2 气流控制方程 | 第36-37页 |
| 2.1.3 多孔介质等效模型 | 第37-39页 |
| 2.1.4 流场计算模型及边界条件 | 第39-41页 |
| 2.1.5 多孔介质等效模型与三维全特征模型比较 | 第41-42页 |
| 2.1.6 反应腔室内流场轮廓特征 | 第42-45页 |
| 2.1.7 压力、流量、极间距对流场轮廓的影响 | 第45-47页 |
| 2.2 热场建模及其特性分析 | 第47-54页 |
| 2.2.1 晶片传热过程 | 第47-49页 |
| 2.2.2 晶片传热精细化建模 | 第49-52页 |
| 2.2.3 压力、气隙、流量对晶片表面温度影响 | 第52-54页 |
| 2.3 等离子体建模及其特性分析 | 第54-67页 |
| 2.3.1 容性耦合等离子体放电模型结构及参数 | 第54-55页 |
| 2.3.2 基于漂移扩散模型的容性耦合等离子体放电建模 | 第55-59页 |
| 2.3.3 等离子体放电反应及参数 | 第59-62页 |
| 2.3.4 反应腔室内等离子体轮廓特征 | 第62-63页 |
| 2.3.5 压力、射频、极间距对等离子体轮廓影响 | 第63-67页 |
| 2.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第3章 PECVD工艺建模仿真及机理分析 | 第68-100页 |
| 3.1 PECVD SiNx工艺反应路径分析 | 第68-73页 |
| 3.2 PECVD SiNx工艺系统建模 | 第73-81页 |
| 3.2.1 工艺系统建模框架 | 第73-74页 |
| 3.2.2 等离子体放电体系 | 第74-75页 |
| 3.2.3 热流、物质输运及气相、表面化学反应体系 | 第75-80页 |
| 3.2.4 沉积速率与薄膜组分N/Si计算 | 第80-81页 |
| 3.3 PECVD工艺实验及机理分析 | 第81-98页 |
| 3.3.1 工艺条件及贴孔实验设计 | 第82-84页 |
| 3.3.2 沉积速率轮廓实验测试验证 | 第84-89页 |
| 3.3.3 薄膜组分轮廓实验测试验证 | 第89-91页 |
| 3.3.4 基于模型的氮化硅工艺机理分析 | 第91-97页 |
| 3.3.5 基于实验的薄膜折射率轮廓分析 | 第97-98页 |
| 3.4 本章小结 | 第98-100页 |
| 第4章 轮廓误差反馈模型研究 | 第100-114页 |
| 4.1 轮廓调节问题描述及数学模型 | 第100-105页 |
| 4.1.1 轮廓调节问题的数学模型 | 第101-103页 |
| 4.1.2 轮廓梯度极限及可实现性 | 第103-104页 |
| 4.1.3 轮廓数值预处理 | 第104-105页 |
| 4.2 轮廓误差反馈方法设计 | 第105-112页 |
| 4.2.1 方法总体流程框架设计 | 第105-106页 |
| 4.2.2 关键算法环节设计 | 第106-110页 |
| 4.2.3 分区自适应配置策略 | 第110-112页 |
| 4.2.4 典型约束 | 第112页 |
| 4.3 本章小结 | 第112-114页 |
| 第5章 面向轮廓梯度调控的反应腔室结构设计与工艺测试 | 第114-143页 |
| 5.1 阻抗型与可控型设计 | 第114-115页 |
| 5.2 温度场轮廓调控设计 | 第115-122页 |
| 5.2.1 温控阵列加热盘设计与控制 | 第115-118页 |
| 5.2.2 非均匀热阻模块设计 | 第118-122页 |
| 5.3 物质输运轮廓调节设计 | 第122-129页 |
| 5.3.1 非均匀流阻喷淋板设计 | 第122-129页 |
| 5.4 等离子体轮廓调节设计 | 第129-134页 |
| 5.4.1 非均匀电介质模块设计 | 第129-134页 |
| 5.5 非均匀阻抗模块工艺试验测试 | 第134-142页 |
| 5.5.1 非均匀流阻喷淋板薄膜沉积轮廓调节工艺测试 | 第134-138页 |
| 5.5.2 非均匀厚度陶瓷托盘温度轮廓调节测试 | 第138-140页 |
| 5.5.3 非均匀厚度陶瓷托盘薄膜沉积轮廓调节测试 | 第140-142页 |
| 5.6 本章小结 | 第142-143页 |
| 第6章 结论与展望 | 第143-146页 |
| 6.1 全文总结 | 第143-145页 |
| 6.1.1 主要研究结论 | 第143-144页 |
| 6.1.2 主要创新点 | 第144-145页 |
| 6.2 研究展望 | 第145-146页 |
| 参考文献 | 第146-157页 |
| 致谢 | 第157-159页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第159-160页 |
