| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 论文研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 硅应变传感器概述与可靠性指标 | 第11-13页 |
| 1.3 国内外提高传感器可靠性研究进展 | 第13-18页 |
| 1.3.1 提高充油传感器可靠性的方法 | 第13-15页 |
| 1.3.2 提高陶瓷压阻传感器可靠性方法 | 第15-16页 |
| 1.3.3 提高电容压力传感器可靠性方法 | 第16-17页 |
| 1.3.4 提高溅射薄膜传感器可靠性方法 | 第17-18页 |
| 1.3.5 常用的通用稳定性可靠性处理工艺 | 第18页 |
| 1.4 论文研究内容及章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 影响硅应变传感器可靠性的因素分析 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 硅应变传感器的分类与结构 | 第20-23页 |
| 2.3 影响硅应变传感器可靠性的因素分析 | 第23-26页 |
| 2.4 提高硅应变传感器的可靠性的方法措施分析 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 硅应变传感器压力座SISTPB可靠性优化设计 | 第29-46页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 SISTPB结构对传感器灵敏度影响与仿真 | 第29-32页 |
| 3.2.1 不带钉压力座结构设计 | 第30-31页 |
| 3.2.2 带钉压力座结构设计 | 第31-32页 |
| 3.3 SISTPB结构对传感器过载能力影响与仿真 | 第32-36页 |
| 3.3.1 不同R角的径向应力分布 | 第33-35页 |
| 3.3.2 不同R角的满量程最大内应力和输出估算 | 第35页 |
| 3.3.3 不同硅应变计粘贴位置的输出 | 第35-36页 |
| 3.3.4 仿真结果分析 | 第36页 |
| 3.4 SISTPB可靠性优化设计 | 第36-45页 |
| 3.4.1 硅应变传感器量程与SISTPB膜厚对应关系 | 第37-39页 |
| 3.4.2 SISTPB尺寸误差的影响 | 第39页 |
| 3.4.3 SISTPB应力槽尺寸 | 第39-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 硅应变传感器的制造工艺分析与降低应力方法 | 第46-53页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 制造工艺对硅应变传感器应力的影响 | 第46-49页 |
| 4.3 降低制造过程所产生应力的综合方法 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 试验研究 | 第53-65页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 SISTPB可靠性优化设计效果试验 | 第53-58页 |
| 5.2.1 试验方法 | 第53-54页 |
| 5.2.2 试验过程 | 第54页 |
| 5.2.3 试验数据及结果分析 | 第54-58页 |
| 5.3 降低制造过程所产生应力的综合方法效果试验 | 第58-63页 |
| 5.3.1 试验方法 | 第59页 |
| 5.3.2 试验过程 | 第59页 |
| 5.3.3 试验数据 | 第59-63页 |
| 5.3.4 试验结论 | 第63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 总结与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附录 | 第72页 |
