| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 MEMS超级电容器的简介 | 第12-18页 |
| 1.2.1 MEMS超级电容器的分类 | 第12-14页 |
| 1.2.2 MEMS超级电容器的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.2.3 MEMS超级电容器的应用领域和发展前景 | 第17-18页 |
| 1.3 本论文的研究内容和方法 | 第18-21页 |
| 第二章 MEMS静电式超级电容器的工作原理及关键技术 | 第21-31页 |
| 2.1 MEMS静电式超级电容器的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2 关键制备技术 | 第22-27页 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶技术 | 第22-23页 |
| 2.2.2 热氧化技术 | 第23页 |
| 2.2.3 光刻技术 | 第23-25页 |
| 2.2.4 刻蚀技术 | 第25-27页 |
| 2.3 主要表征设备 | 第27-30页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第27-28页 |
| 2.3.2 X射线衍射仪（XRD） | 第28页 |
| 2.3.3 台阶仪 | 第28-29页 |
| 2.3.4 半导体特性分析仪 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 硅基底三维凹槽阵列的制备及表征 | 第31-53页 |
| 3.1 实验准备 | 第31-34页 |
| 3.1.1 实验工艺流程 | 第31-32页 |
| 3.1.2 实验试剂及仪器 | 第32-34页 |
| 3.2 湿法刻蚀 | 第34-44页 |
| 3.2.1 实验 | 第34-38页 |
| 3.2.2 实验结果及讨论 | 第38-43页 |
| 3.2.3 比表面积增大计算 | 第43-44页 |
| 3.3 干法刻蚀 | 第44-50页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第44-46页 |
| 3.3.2 实验结果及讨论 | 第46-50页 |
| 3.3.3 比表面积增大比计算 | 第50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-53页 |
| 第四章 高介电常数薄膜CCTO制备及电学特性表征 | 第53-67页 |
| 4.1 实验准备 | 第53-55页 |
| 4.1.1 实验基本流程 | 第53-54页 |
| 4.1.2 实验试剂及仪器 | 第54-55页 |
| 4.2 实验过程 | 第55-56页 |
| 4.2.1 CCTO薄膜在硅基底上的制备 | 第55-56页 |
| 4.2.2 MIS电容结构制备 | 第56页 |
| 4.3 实验测试结果分析及讨论 | 第56-65页 |
| 4.3.1 CCTO薄膜晶体形貌分析 | 第56-59页 |
| 4.3.2 CCTO薄膜的I-V特性 | 第59-61页 |
| 4.3.3 CCTO薄膜的C-V特性及能量密度 | 第61-62页 |
| 4.3.4 CCTO薄膜中的介质充电现象分析 | 第62-64页 |
| 4.3.5 CCTO薄膜的厚度与转速的关系 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 MEMS静电式超级电容器制备工艺设计 | 第67-73页 |
| 5.1 MEMS静电式超级电容器工艺设计 | 第67-69页 |
| 5.2 电极制备 | 第69-70页 |
| 5.3 电介质制备 | 第70-72页 |
| 5.3.1 高介电常数薄膜电介质 | 第70页 |
| 5.3.2 阳极氧化法制备电介质 | 第70-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 总结 | 第73-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 硕士学位期间主要研究成果 | 第83页 |