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低维材料的第一性原理研究

中文摘要第1-4页
Abstract第4-7页
引言第7-9页
第1章 密度泛函理论及其应用第9-20页
 §1.1 绝热近似和哈特里-福特方程第9-12页
 §1.2 密度泛函理论基础第12-14页
  §1.2.1 Thomas-Fermi-Dirac近似第12-13页
  §1.2.2 Hohenberg-Kohn定理第13-14页
  §1.2.3 自旋密度泛函理论第14页
 §1.3 Kohn-Sham算法第14-17页
  §1.3.1 Kohn-Sham算法第15-16页
  §1.3.2 Kohn-Sham变分方程第16-17页
 §1.4 交换关联函数泛函第17-18页
  §1.4.1 局域密度近似(Local Density Approximation,LDA)第17页
  §1.4.2 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)第17-18页
 §1.5 自洽求解Kohn-Sham方程第18页
 §1.6 SIESTA软件包简介第18-20页
第2章 石墨烯型ⅢA族氮化物的第一性原理计算第20-32页
 §2.1 ⅢA族氮化物的性质及研究背景第20-21页
  §2.1.1 半导体发展历程第20页
  §2.1.2 ⅢA族氮化物的性质和研究背景第20-21页
 §2.2 AlN纳米带磁性的第一性原理计算第21-29页
  §2.2.1 AlN简介第21-22页
  §2.2.2 计算方法:参数和超胞的选取第22-24页
  §2.2.3 AlN纳米带的理论结构第24-25页
  §2.2.4 锯齿型AlN纳米带的磁性第25-27页
  §2.2.5 扶手椅型AlN纳米带第27-28页
  §2.2.6 加氢钝化的AlN纳米带第28-29页
  §2.2.7 小结第29页
 §2.3 BN纳米带的O切割效应第29-32页
  §2.3.1 BN简介第29-30页
  §2.3.2 计算方法第30页
  §2.3.3 结果与讨论第30-32页
第3章 Co_3O_4纳米颗粒磁性的第一性原理计算第32-34页
 §3.1 研究背景第32页
 §3.2 计算方法第32页
 §3.2 结果与讨论第32-34页
第4章 结论第34-35页
参考文献第35-38页
在学期间的研究成果第38-39页
致谢第39页

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