致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
1 绪论 | 第17-34页 |
1.1 传感器 | 第17页 |
1.2 气体传感器 | 第17-28页 |
1.2.1 半导体气体传感器简介 | 第18-19页 |
1.2.2 衡量半导体传感器气敏性能参数 | 第19-21页 |
1.2.3 半导体传感器气敏机理 | 第21-22页 |
1.2.4 金属氧化物半导体气敏材料的研究进展 | 第22-23页 |
1.2.5 提高金属氧化物半导体气敏特性的方法 | 第23-28页 |
1.3 介孔材料概述 | 第28-32页 |
1.3.1 介孔金属氧化物半导体气敏材料的研究 | 第29-30页 |
1.3.3 介孔金属氧化物的合成方法 | 第30-32页 |
1.4 本论文研究出发点及主要工作 | 第32-34页 |
2 论文所用试剂仪器及表征手段 | 第34-40页 |
2.1 实验原料试剂 | 第34-35页 |
2.2 仪器设备 | 第35页 |
2.3 样品的表征 | 第35-38页 |
2.3.1 X射线衍射分析 | 第35-36页 |
2.3.2 X-射线光电子能谱 | 第36页 |
2.3.3 氮气吸脱附分析 | 第36-37页 |
2.3.4 透射电镜 | 第37页 |
2.3.5 场发射扫描电子显微镜 | 第37页 |
2.3.6 傅里叶红外光谱分析 | 第37页 |
2.3.7 紫外可见分分光计 | 第37-38页 |
2.4 气敏性能测试 | 第38-40页 |
2.4.1 气敏性能测试系统简介及测试原理 | 第38-39页 |
2.4.2 气敏元件制备 | 第39-40页 |
3 In_(2-x)Co_xO_3纳米球的制备及气敏性能的研究 | 第40-57页 |
3.1 引言 | 第40-41页 |
3.2 样品的制备 | 第41-42页 |
3.2.1 介孔氧化硅FDU-12 的合成 | 第41页 |
3.2.2 介孔纯In_2O_3和Co掺杂的In_2O_3纳米球的制备 | 第41-42页 |
3.3 结果与讨论 | 第42-56页 |
3.3.1 FDU-12 的结构表征 | 第42-43页 |
3.3.2 In_(2-x) Co_xO_3纳米球的结构表征 | 第43-50页 |
3.3.3 In_2O_3和In_(2-x) Co_xO_3纳米球的气敏性质研究 | 第50-56页 |
3.4 本章小结 | 第56-57页 |
4 In_(2-x)Ni_xO_3纳米球的制备与气敏性能研究 | 第57-70页 |
4.1 引言 | 第57页 |
4.2 材料的制备 | 第57-58页 |
4.2.1 介孔氧化硅FDU-12 的合成 | 第57页 |
4.2.2 介孔In_(2-x) Ni_xO_3纳米球的制备 | 第57-58页 |
4.3 结果与讨论 | 第58-69页 |
4.3.1 In_(2-x) Ni_xO_3纳米球的结构表征 | 第58-65页 |
4.3.2 In_(2-x) Ni_xO_3纳米球的气敏性能研究 | 第65-69页 |
4.4 本章小结 | 第69-70页 |
5 In_(2-x)Fe_xO_3纳米球的气敏性能研究 | 第70-82页 |
5.1 引言 | 第70-71页 |
5.2 样品的制备 | 第71页 |
5.2.1 介孔氧化硅FDU-12 的合成 | 第71页 |
5.2.2 介孔In_(2-x)Fe_x O_3纳米球的合成 | 第71页 |
5.3 结果与讨论 | 第71-81页 |
5.3.1 Fe掺杂的In_2O_3纳米球的结构表征 | 第71-77页 |
5.3.2 Fe-In_2O_3纳米球气敏性能的研究 | 第77-81页 |
5.4 本章小结 | 第81-82页 |
6 In_(2-x)Ce_xO_3纳米球的制备与气敏性能研究 | 第82-95页 |
6.1 引言 | 第82页 |
6.2 材料的制备 | 第82-83页 |
6.2.1 介孔氧化硅FDU-12 的合成 | 第82-83页 |
6.2.2 介孔In_(2-x) Ce_xO_3纳米球的制备 | 第83页 |
6.3 结果与讨论 | 第83-94页 |
6.3.1 In_(2-x) Ce_xO_3纳米球的结构表征 | 第83-90页 |
6.3.2 In_(2-x) Ce_xO_3纳米球的气敏性能研究结构表征 | 第90-94页 |
6.4 本章小结 | 第94-95页 |
7 不同金属掺杂介孔氧化铟的气敏性能分析 | 第95-99页 |
8 结论与展望 | 第99-102页 |
8.1 结论 | 第99-100页 |
8.2 展望 | 第100-102页 |
参考文献 | 第102-114页 |
作者简历 | 第114页 |