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外场调控下二维Dirac Fermi子的能谱和输运性质

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第11-47页
    第一节 引言第11页
    第二节 碳单层及其衍生材料的基本性质第11-25页
        2.1 碳单层第11-16页
            2.1.1 碳单层的发现和制备第11-13页
            2.1.2 碳单层的电子能带结构第13-16页
        2.2 衍生的二维纳米材料第16-25页
            2.2.1 碳双层第16-18页
            2.2.2 人工构造的Lieb晶格第18-20页
            2.2.3 扭转的碳双层第20-23页
            2.2.4 低翘曲的第Ⅳ主族材料第23-25页
    第三节 Dirac Fermi子的拓扑和输运性质第25-34页
        3.1 Berry相位和Berry曲率第25-27页
        3.2 Klein隧穿第27-29页
        3.3 Andreev反射第29-32页
        3.4 反常量子Hall效应和Nernst效应第32-34页
    第四节 理论途径和计算方法第34-40页
        4.1 转移矩阵方法第34-37页
        4.2 Blonder-Tinkham-Klapwijk理论第37-39页
        4.3 Floquet理论第39-40页
    参考文献第40-47页
第二章 碳单层Thue-Morse超晶格中特殊的电子性质第47-63页
    第一节 研究背景第47-48页
    第二节 模型和公式第48-50页
    第三节 结果和讨论第50-59页
        3.1 能级分叉第50-51页
        3.2 额外Dirac点第51-54页
        3.3 Dirac点处的速度重整化第54-56页
        3.4 波函数第56-58页
        3.5 可能的应用:电子束准直第58-59页
    第四节 小结第59页
    参考文献第59-63页
第三章 Lieb光学超晶格中赝自旋-1 Dirac Fermi子的全方向透射和反射第63-79页
    第一节 研究背景第63-64页
    第二节 穿过周期势垒的透射第64-68页
    第三节 结果和讨论第68-74页
        3.1 无质量Dirac Fermi子的全方向透射第68-71页
        3.2 有质量Dirac Fermi子的全方向反射第71-73页
        3.3 传导系数第73-74页
    第四节 小结第74-75页
    参考文献第75-79页
第四章 扭转的碳双层上Andreev反射的手征性渡越第79-93页
    第一节 研究背景第79-80页
    第二节 扭转的碳双层的基本性质第80-82页
    第三节 模型和公式第82-84页
    第四节 结果和讨论第84-89页
    第五节 小结第89页
    参考文献第89-93页
第五章 硅单层中反常的Nernst效应及拓扑相变的检测第93-105页
    第一节 研究背景第93-94页
    第二节 模型和公式第94-96页
    第三节 结果和讨论第96-101页
        3.1 在室温下表征拓扑相变第96-99页
        3.2 完全自旋谷极化的电流第99页
        3.3 反常热磁品质因子的比较第99-101页
    第四节 小结第101页
    参考文献第101-105页
第六章 总结和展望第105-107页
发表论文和参加学术会议情况第107-109页
致谢第109-110页

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