| 摘要 | 第13-15页 |
| Abstract | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第17-49页 |
| 第一节 引言 | 第17页 |
| 第二节 气敏传感器概述 | 第17-26页 |
| 2.1 气敏传感器的类型 | 第17-19页 |
| 2.2 气敏传感器的性能指标 | 第19-20页 |
| 2.3 气敏传感器的气敏机理 | 第20-26页 |
| 2.3.1 金属氧化物气敏传感器的气敏机理 | 第20-22页 |
| 2.3.2 有机半导体型气敏传感器的气敏机理 | 第22-24页 |
| 2.3.3 复合型气敏传感器的气敏机理 | 第24-26页 |
| 第三节 有机-金属氧化物复合气敏传感器研究进展 | 第26-35页 |
| 3.1 酞菁-金属氧化物复合气敏材料研究进展 | 第27-28页 |
| 3.2 导电聚合物-金属氧化物复合气敏材料研究进展 | 第28-34页 |
| 3.3 有机-金属氧化物复合气敏材料的制备方法 | 第34-35页 |
| 第四节 论文的主要内容和意义 | 第35-37页 |
| 4.1 论文的研究意义 | 第35-36页 |
| 4.2 论文的主要研究内容 | 第36-37页 |
| 4.3 论文的创新点 | 第37页 |
| 参考文献 | 第37-49页 |
| 第二章 SnO_2-SiPc复合半导体的制备及其气敏性质研究 | 第49-77页 |
| 第一节 引言 | 第49-50页 |
| 第二节 实验部分 | 第50-54页 |
| 2.1 实验试剂 | 第50页 |
| 2.2 实验仪器 | 第50-52页 |
| 2.2.1 样品制备中所用主要仪器 | 第50-51页 |
| 2.2.2 样品测试表征仪器 | 第51-52页 |
| 2.3 样品制备 | 第52-54页 |
| 2.3.1 SnO_2多孔纳米固体的制备 | 第52页 |
| 2.3.2 胺基轴向取代的硅酞菁的合成 | 第52-53页 |
| 2.3.3 SnO_2-SiPc复合气敏传感器的制备 | 第53-54页 |
| 第三节 样品的测试与表征 | 第54-58页 |
| 3.1 SnO_2纳米粉的表征 | 第54页 |
| 3.2 SnO_2多孔纳米固体的表征 | 第54-55页 |
| 3.3 胺基轴向取代的SiPc(1)的表征 | 第55-56页 |
| 3.4 SnO_2-SiPc复合半导体材料的表征 | 第56-58页 |
| 第四节 SnO_2-SiPc复合半导体材料的电输运及气敏性能 | 第58-70页 |
| 4.1 SnO_2-SiPc复合半导体材料的电输运性质 | 第58-60页 |
| 4.2 SnO_2-SiPc复合半导体材料的气敏性质 | 第60-70页 |
| 4.2.1 SnO_2-SiPc复合半导体材料对NO_2气体的气敏响应 | 第61-68页 |
| 4.2.2 SnO_2-SiPc复合半导体传感器的气敏机理 | 第68-70页 |
| 第五节 本章小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 第三章 SnO_2-P3HT复合半导体的制备及其气敏性质研究 | 第77-99页 |
| 第一节 引言 | 第77页 |
| 第二节 实验部分 | 第77-80页 |
| 2.1 实验试剂 | 第78页 |
| 2.2 实验仪器 | 第78-79页 |
| 2.2.1 样品制备中所用主要仪器 | 第78页 |
| 2.2.2 样品测试表征仪器 | 第78-79页 |
| 2.3 样品制备 | 第79-80页 |
| 2.3.1 SnO_2纳米颗粒的合成 | 第79页 |
| 2.3.2 SnO_2多孔纳米固体的制备 | 第79页 |
| 2.3.3 SnO_2-P3HT复合半导体气敏传感器的制备 | 第79-80页 |
| 第三节 样品测试与表征 | 第80-83页 |
| 3.1 SnO_2纳米粉的表征 | 第80页 |
| 3.2 SnO_2多孔纳米固体的表征 | 第80-82页 |
| 3.3 SnO_2-P3HT复合半导体材料的表征 | 第82-83页 |
| 第四节 SnO_2-P3HT复合半导体材料的电输运及气敏性能 | 第83-95页 |
| 4.1 SnO_2-P3HT复合半导体材料的电输运性质 | 第83-84页 |
| 4.2 SnO_2-P3HT复合半导体材料对NO_2的气敏性质 | 第84-95页 |
| 4.2.1 SnO_2-P3HT复合半导体材料对NO_2气体的气敏响应 | 第85-92页 |
| 4.2.2 SnO_2-P3HT复合半导体传感器的气敏响应机理 | 第92-95页 |
| 第五节 本章小结 | 第95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 第四章 SnO_2-CuPc复合半导体的制备及其气敏性质研究 | 第99-111页 |
| 第一节 引言 | 第99页 |
| 第二节 实验部分 | 第99-101页 |
| 2.1 实验试剂 | 第99页 |
| 2.2 实验仪器 | 第99-100页 |
| 2.2.1 样品制备所用主要仪器 | 第99-100页 |
| 2.2.2 样品测试表征仪器 | 第100页 |
| 2.3 样品制备 | 第100-101页 |
| 2.3.1 SnO_2多孔纳米固体的制备 | 第100页 |
| 2.3.2 SnO_2-CuPc复合气敏传感器的制备 | 第100-101页 |
| 第三节 样品的测试与表征 | 第101-102页 |
| 3.1 SnO_2纳米粉的表征 | 第101页 |
| 3.2 SnO_2多孔纳米固体的表征 | 第101页 |
| 3.3 SnO_2-CuPc复合半导体材料的表征 | 第101-102页 |
| 第四节 SnO_2-CuPc复合半导体的电输运及气敏性能 | 第102-108页 |
| 4.1 SnO_2-CuPc复合半导体的电输运性质 | 第102-104页 |
| 4.2 SnO_2-CuPc复合半导体材料的气敏性质 | 第104-108页 |
| 4.2.1 SnO_2-CuPc复合半导体传感器对NO_2气体的气敏响应 | 第104-107页 |
| 4.2.2 SnO_2-CuPc复合半导体传感器的气敏机理 | 第107-108页 |
| 第五节 本章小结 | 第108页 |
| 参考文献 | 第108-111页 |
| 第五章 利用原位红外光谱研究复合半导体的气敏机理 | 第111-135页 |
| 第一节 引言 | 第111页 |
| 第二节 实验部分 | 第111-112页 |
| 2.1 实验试剂 | 第111-112页 |
| 2.2 实验仪器 | 第112页 |
| 2.3 实验测试部分 | 第112页 |
| 2.3.1 原位漫反射红外光谱的测试 | 第112页 |
| 2.3.2 衰减全反射红外光谱的测试 | 第112页 |
| 第三节 原位漫反射红外光谱测试结果分析 | 第112-117页 |
| 3.1 SnO_2多孔纳米固体的原位漫反射红外光谱 | 第112-113页 |
| 3.2 SiPc(1)的原位漫反射红外光谱 | 第113-114页 |
| 3.3 SnO_2-SiPc复合半导体的原位漫反射红外光谱 | 第114-116页 |
| 3.4 P3HT的原位漫反射红外光谱 | 第116页 |
| 3.5 SnO_2-P3HT复合半导体原位漫反射红外光谱 | 第116-117页 |
| 第四节 不同被测气体中气敏材料的红外光谱 | 第117-129页 |
| 4.1 NO_2中气敏材料的红外光谱 | 第117-124页 |
| 4.2 SO_2气体中气敏材料的红外光谱 | 第124-126页 |
| 4.3 NH_3气氛中气敏材料的红外光谱 | 第126-129页 |
| 第五节 本章小结 | 第129页 |
| 参考文献 | 第129-135页 |
| 第六章 结论与展望 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第138-139页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第139页 |
