| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第8-31页 |
| 1.1 场发射基本理论简介及应用 | 第8-14页 |
| 1.1.1 场发射理论 | 第8-9页 |
| 1.1.2 场发射影响因素 | 第9-10页 |
| 1.1.3 场发射性能测试及表征 | 第10-11页 |
| 1.1.4 场发射理论的应用 | 第11-14页 |
| 1.2 场发射阴极材料的研究进展 | 第14-24页 |
| 1.2.1 场发射阴极材料的研究概况 | 第14页 |
| 1.2.2 场发射阴极材料的基本特性 | 第14-15页 |
| 1.2.3 表面修饰低维纳米场发射阴极材料的研究进展 | 第15-24页 |
| 1.2.3.1 非金属修饰低维纳米场发射阴极材料研究进展 | 第15-19页 |
| 1.2.3.2 金属修饰低维纳米场发射阴极材料研究进展 | 第19-24页 |
| 1.3 SiC场发射阴极材料研究进展 | 第24-29页 |
| 1.3.1 SiC纳米材料基本特性简介 | 第24-25页 |
| 1.3.2 SiC低维纳米场发射阴极材料研究进展 | 第25-29页 |
| 1.4 选题背景及其课题创新性 | 第29-31页 |
| 1.4.1 选题背景及意义 | 第29-30页 |
| 1.4.2 本课题的特色与创新之处 | 第30-31页 |
| 2 实验方法、研究内容及分析方法 | 第31-36页 |
| 2.1 实验方案 | 第31-35页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第31-32页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第32-34页 |
| 2.1.3 主要工艺 | 第34-35页 |
| 2.1.3.1 SiC纳米线的合成工艺 | 第34页 |
| 2.1.3.2 金纳米颗粒修饰SiC纳米线的制备工艺 | 第34页 |
| 2.1.3.2 镁纳米颗粒修饰SiC纳米线的主要工艺 | 第34-35页 |
| 2.2 研究内容 | 第35-36页 |
| 2.2.1 SiC纳米线的制备及其场发射特性 | 第35页 |
| 2.2.2 金纳米颗粒修饰SiC纳米线及其场发射特性 | 第35页 |
| 2.2.3 镁纳米颗粒修饰SiC纳米线及其场发射特性 | 第35-36页 |
| 3 金纳米颗粒修饰SiC纳米线的制备及其场发射性能特性 | 第36-48页 |
| 3.1 前言 | 第36-37页 |
| 3.2 实验内容 | 第37-38页 |
| 3.2.1 材料制备工艺 | 第37页 |
| 3.2.2 材料表征分析及场发射特性 | 第37-38页 |
| 3.3 金纳米颗粒修饰SiC纳米线的结构表征分析 | 第38-43页 |
| 3.3.1 SEM表征与分析 | 第38-40页 |
| 3.3.2 成分及晶相表征与分析 | 第40-41页 |
| 3.3.3 TEM表征与分析 | 第41-43页 |
| 3.4 金纳米颗粒修饰SiC纳米线的场发射特性 | 第43-46页 |
| 3.4.1 场发射特性测试与分析 | 第43-46页 |
| 3.4.2 金纳米颗粒密度对SiC纳米线场发射稳定性的影响 | 第46页 |
| 3.5 小结 | 第46-48页 |
| 4 镁纳米颗粒修饰SiC纳米线的制备及其场发射特性 | 第48-56页 |
| 4.1 前言 | 第48-49页 |
| 4.2 实验内容 | 第49-50页 |
| 4.2.1 材料制备工艺 | 第49页 |
| 4.2.2 材料结构表征分析及其场发射特性 | 第49-50页 |
| 4.3 镁纳米颗粒修饰SiC纳米线结构表征分析 | 第50-52页 |
| 4.3.1 SEM表征与分析 | 第50-51页 |
| 4.3.2 成分及晶相表征与分析 | 第51-52页 |
| 4.4 镁纳米颗粒修饰SiC纳米线的场发射特性 | 第52-54页 |
| 4.4.1 场发射性能测试 | 第52-53页 |
| 4.4.2 镁纳米颗粒对SiC纳米线场发射稳定性的影响 | 第53-54页 |
| 4.5 小结 | 第54-56页 |
| 5 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 附录 | 第67页 |
