摘要 | 第1-12页 |
Abstract | 第12-14页 |
第一章 绪论 | 第14-22页 |
·忆阻器的发展历程 | 第14-17页 |
·忆阻器理论诞生 | 第14-16页 |
·忆阻器理论发展 | 第16页 |
·忆阻器物理实现 | 第16-17页 |
·国内外研究现状 | 第17-19页 |
·课题来源与研究目标 | 第19-20页 |
·主要研究内容与文章结构 | 第20-22页 |
第二章 钛氧化物忆阻器研究综述 | 第22-49页 |
·引言 | 第22页 |
·钛氧化物忆阻器制备 | 第22-26页 |
·基于缺氧二氧化钛的忆阻器制备技术 | 第22-24页 |
·基于多氧二氧化钛的忆阻器制备技术 | 第24-25页 |
·氧比例不定型忆阻器制备技术 | 第25-26页 |
·综合分析 | 第26页 |
·钛氧化物忆阻器导电机理 | 第26-33页 |
·杂质漂移机理 | 第26-29页 |
·隧道势垒机理 | 第29-30页 |
·导电细丝通断机理 | 第30-31页 |
·杂质漂移与隧道势垒共存机理 | 第31-32页 |
·综合分析 | 第32-33页 |
·钛氧化物忆阻器建模及仿真 | 第33-43页 |
·可变电阻数学模型 | 第33-35页 |
·基于惠普窗函数的可变电阻模型仿真方法 | 第35-40页 |
·可变电阻电路模型 | 第40-41页 |
·随机断路开关网格模型 | 第41-42页 |
·综合分析 | 第42-43页 |
·钛氧化物忆阻器应用研究 | 第43-48页 |
·基于忆阻器的神经网络应用 | 第43-44页 |
·忆阻器与CMOS混合电路 | 第44-45页 |
·忆阻器应用于通信领域 | 第45-47页 |
·综合分析 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第三章 钛氧化物忆阻器导电机理及建模 | 第49-86页 |
·引言 | 第49页 |
·杂质漂移与隧道势垒的共存 | 第49-60页 |
·杂质漂移与隧道势垒共存的物理依据 | 第49-51页 |
·杂质漂移与隧道势垒共存模型 | 第51-58页 |
·钛氧化物忆阻器参数分析 | 第58-60页 |
·器件参数改变对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第60-76页 |
·横截面积对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第60-66页 |
·平均杂质迁移率对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第66-67页 |
·初始掺杂层厚度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第67-69页 |
·截止/导通阻抗比对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第69-71页 |
·活跃区域厚度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第71-73页 |
·隧道势垒初始厚度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第73-75页 |
·隧道势垒高度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第75-76页 |
·工作参数改变对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第76-84页 |
·偏置电压幅度及频率对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第76-80页 |
·温度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响 | 第80-84页 |
·本章小结 | 第84-86页 |
第四章 钛氧化物忆阻器阻抗控制及应用 | 第86-112页 |
·引言 | 第86页 |
·忆阻器瞬态阻抗控制方法 | 第86-93页 |
·基于导电机理的忆阻器阻抗状态控制 | 第89-92页 |
·忆阻器阻抗状态控制基本电路 | 第92-93页 |
·基于导电机理的忆阻器阻抗状态读写信号 | 第93-101页 |
·忆阻器阻抗状态控制电路 | 第101-105页 |
·忆阻器阻抗状态控制电路基本结构 | 第101-103页 |
·初始状态及偏置电压的改变对忆阻器阻抗状态控制的影响 | 第103-105页 |
·通频带参数可调且非易失的模拟滤波电路 | 第105-109页 |
·模拟信号加密解密电路 | 第109-111页 |
·本章小结 | 第111-112页 |
第五章 结论与展望 | 第112-114页 |
·本文所做的工作与创新点 | 第112-113页 |
·存在的不足与展望 | 第113-114页 |
致谢 | 第114-115页 |
参考文献 | 第115-122页 |
作者在期间取得的学术成果 | 第122-123页 |
附录A1 非线性杂质漂移模型MATLAB仿真程序 | 第123-125页 |
附录A2 非线性杂质漂移模型PSPICE仿真程序 | 第125-126页 |
附录A3 线性杂质漂移模型PSPICE仿真程序 | 第126-127页 |
附录A4 隧道势垒导电模型PSPICE仿真程序 | 第127-129页 |
附录A5 杂质漂移与隧道势垒并联共存的导电模型PSPICE仿真程序 | 第129-130页 |