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钛氧化物忆阻器导电机理与阻抗控制研究

摘要第1-12页
Abstract第12-14页
第一章 绪论第14-22页
   ·忆阻器的发展历程第14-17页
     ·忆阻器理论诞生第14-16页
     ·忆阻器理论发展第16页
     ·忆阻器物理实现第16-17页
   ·国内外研究现状第17-19页
   ·课题来源与研究目标第19-20页
   ·主要研究内容与文章结构第20-22页
第二章 钛氧化物忆阻器研究综述第22-49页
   ·引言第22页
   ·钛氧化物忆阻器制备第22-26页
     ·基于缺氧二氧化钛的忆阻器制备技术第22-24页
     ·基于多氧二氧化钛的忆阻器制备技术第24-25页
     ·氧比例不定型忆阻器制备技术第25-26页
     ·综合分析第26页
   ·钛氧化物忆阻器导电机理第26-33页
     ·杂质漂移机理第26-29页
     ·隧道势垒机理第29-30页
     ·导电细丝通断机理第30-31页
     ·杂质漂移与隧道势垒共存机理第31-32页
     ·综合分析第32-33页
   ·钛氧化物忆阻器建模及仿真第33-43页
     ·可变电阻数学模型第33-35页
     ·基于惠普窗函数的可变电阻模型仿真方法第35-40页
     ·可变电阻电路模型第40-41页
     ·随机断路开关网格模型第41-42页
     ·综合分析第42-43页
   ·钛氧化物忆阻器应用研究第43-48页
     ·基于忆阻器的神经网络应用第43-44页
     ·忆阻器与CMOS混合电路第44-45页
     ·忆阻器应用于通信领域第45-47页
     ·综合分析第47-48页
   ·本章小结第48-49页
第三章 钛氧化物忆阻器导电机理及建模第49-86页
   ·引言第49页
   ·杂质漂移与隧道势垒的共存第49-60页
     ·杂质漂移与隧道势垒共存的物理依据第49-51页
     ·杂质漂移与隧道势垒共存模型第51-58页
     ·钛氧化物忆阻器参数分析第58-60页
   ·器件参数改变对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第60-76页
     ·横截面积对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第60-66页
     ·平均杂质迁移率对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第66-67页
     ·初始掺杂层厚度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第67-69页
     ·截止/导通阻抗比对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第69-71页
     ·活跃区域厚度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第71-73页
     ·隧道势垒初始厚度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第73-75页
     ·隧道势垒高度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第75-76页
   ·工作参数改变对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第76-84页
     ·偏置电压幅度及频率对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第76-80页
     ·温度对杂质漂移与隧道势垒共存的影响第80-84页
   ·本章小结第84-86页
第四章 钛氧化物忆阻器阻抗控制及应用第86-112页
   ·引言第86页
   ·忆阻器瞬态阻抗控制方法第86-93页
     ·基于导电机理的忆阻器阻抗状态控制第89-92页
     ·忆阻器阻抗状态控制基本电路第92-93页
   ·基于导电机理的忆阻器阻抗状态读写信号第93-101页
   ·忆阻器阻抗状态控制电路第101-105页
     ·忆阻器阻抗状态控制电路基本结构第101-103页
     ·初始状态及偏置电压的改变对忆阻器阻抗状态控制的影响第103-105页
   ·通频带参数可调且非易失的模拟滤波电路第105-109页
   ·模拟信号加密解密电路第109-111页
   ·本章小结第111-112页
第五章 结论与展望第112-114页
   ·本文所做的工作与创新点第112-113页
   ·存在的不足与展望第113-114页
致谢第114-115页
参考文献第115-122页
作者在期间取得的学术成果第122-123页
附录A1 非线性杂质漂移模型MATLAB仿真程序第123-125页
附录A2 非线性杂质漂移模型PSPICE仿真程序第125-126页
附录A3 线性杂质漂移模型PSPICE仿真程序第126-127页
附录A4 隧道势垒导电模型PSPICE仿真程序第127-129页
附录A5 杂质漂移与隧道势垒并联共存的导电模型PSPICE仿真程序第129-130页

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