| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·光电探测器研究现状 | 第11-13页 |
| ·传统光电转换技术 | 第11-13页 |
| ·纳米线光电探测器 | 第13页 |
| ·本文研究的背景和意义 | 第13-14页 |
| ·本文研究的主要工作 | 第14页 |
| ·论文结构安排 | 第14-16页 |
| 2 P型变组分AlGaAs/GaAs纳米线光电探测器光电特性研究 | 第16-26页 |
| ·理论模型 | 第16-17页 |
| ·P型变组分AlGaAs/GaAs纳米线光电探测器仿真及结果分析 | 第17-24页 |
| ·O-O器件 | 第19-20页 |
| ·O-S器件 | 第20-21页 |
| ·S-O器件 | 第21-22页 |
| ·S-S器件 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 3 PN型AlGaAs/GaAs纳米线光电探测器光电特性研究 | 第26-38页 |
| ·理论模型 | 第26-27页 |
| ·PN型变组分AlGaAs/GaAs纳米线光电探测器仿真及结果分析 | 第27-37页 |
| ·变组分影响 | 第27-33页 |
| ·变掺杂和温度影响 | 第33-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 变组分AlGaAs/GaAs纳米线光电探测器件制备 | 第38-52页 |
| ·变组分AlGaAs/GaAs纳米线阵列制备 | 第38-41页 |
| ·变组分AlGaAs/GaAs纳米线阵列的研究意义 | 第38页 |
| ·变组分AlGaAs/GaAs纳米线阵列制备工艺 | 第38-41页 |
| ·光电探测器件制备 | 第41-50页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第41-42页 |
| ·单根纳米线剥离 | 第42-44页 |
| ·光刻 | 第44-47页 |
| ·沉积电极 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 5 结束语 | 第52-54页 |
| ·总结 | 第52-53页 |
| ·展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
