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ZnTe的晶体生长、性能表征与缺陷研究

摘要第1-6页
Abstract第6-13页
第1章 综述第13-37页
   ·引言第13-14页
   ·ZnTe晶体的基本性质第14-20页
     ·晶体结构第14-17页
     ·ZnTe晶体的一些基本物理性质第17-20页
   ·ZnTe晶体的生长研究第20-28页
     ·生长方法第20-24页
     ·晶体生长基元第24-28页
   ·ZnTe晶体的电学性能第28-29页
     ·ZnTe晶体的导电类型第28页
     ·ZnTe晶体的电阻率第28-29页
   ·ZnTe晶体中的缺陷第29-33页
     ·ZnTe晶体中的缺陷类型第29-30页
     ·ZnTe晶体中缺陷产生原因第30-32页
     ·缺陷对ZnTe晶体性能的影响第32-33页
   ·ZnTe晶体的退火第33-34页
   ·本文的研究背景与研究内容第34-37页
第2章 ZnTe晶体的生长研究第37-49页
   ·ZnTe晶体生长工艺设计第37-41页
     ·生长方法第37-38页
     ·溶剂选择第38-39页
     ·单晶体实现途径第39-40页
     ·溶质传输调控第40-41页
   ·Te过量程度第41页
   ·ZnTe晶体的掺杂第41-42页
     ·Cr掺杂第41-42页
     ·In掺杂第42页
   ·晶体生长的控制参数第42-44页
   ·ZnTe晶体生长工艺流程第44-48页
     ·坩埚处理第44-45页
     ·原料准备第45-47页
     ·晶体生长第47-48页
   ·本章小结第48-49页
第3章 不同条件下生长的ZnTe的结晶质量分析第49-59页
   ·旋转对传质的影响第49-56页
     ·坩埚不旋转第49-53页
     ·坩埚变加速旋转第53-56页
   ·温度梯度对晶体生长的影响第56-58页
   ·本章小结第58-59页
第4章 ZnTe晶体中的微缺陷第59-77页
   ·ZnTe中微缺陷的形成第59-60页
     ·生长阶段形成的微缺陷第59-60页
     ·晶体冷却阶段形成的微缺陷第60页
   ·ZnTe晶体中的胞状结构第60-63页
   ·化学腐蚀法研究晶体中的缺陷第63-76页
     ·腐蚀法显示缺陷的原理第63-64页
     ·线缺陷第64-69页
     ·面缺陷第69-75页
     ·体缺陷(富Te相)第75-76页
   ·本章小结第76-77页
第5章 ZnTe晶体中Te夹杂相的研究第77-97页
   ·Te夹杂相的形成第77-81页
     ·初生Te夹杂相的形成第77-79页
     ·次生Te夹杂相的形成第79-81页
   ·Te夹杂相的分布第81-85页
     ·影响Te夹杂相分布的因素第81-83页
     ·Te夹杂相在晶锭中的宏观分布第83-85页
   ·Te夹杂相的二维投影形貌第85-88页
     ·等轴状Te夹杂相第85-86页
     ·长条状Te夹杂相第86-88页
   ·Te夹杂相中的空洞第88-89页
   ·Te夹杂相的三维形貌第89-92页
   ·腐蚀法研究Te夹杂相的形貌第92-94页
   ·Te夹杂相造成的微裂纹第94-95页
   ·本章小结第95-97页
第6章 ZnTe晶体的光学和电学性能第97-111页
   ·半导体光谱分析的一般原理第97页
   ·紫外-可见-近红外透过光谱第97-100页
   ·紫外-可见光反射光谱第100-107页
     ·反射光谱的原理第100页
     ·不同掺杂晶体的反射光谱第100-101页
     ·不同表面抛光程度的晶体的反射光谱第101-105页
     ·不同氧化程度表面的反射光谱第105-107页
   ·晶体的红外透过率第107-110页
     ·影响ZnTe晶体的红外透过率的因素第107页
     ·不同掺杂的ZnTe晶体的红外透过率第107-110页
   ·本章小结第110-111页
第7章 晶锭尾部ZnTe晶粒的形貌研究第111-121页
   ·样品制备第111-112页
   ·多面体状ZnTe晶粒第112-113页
   ·骸状ZnTe晶粒第113-114页
   ·影响ZnTe晶体形貌的界面动力学规律第114-118页
   ·多面体状ZnTe晶粒与Te夹杂相的对比第118-119页
     ·相同点第118页
     ·不同点第118-119页
   ·本章小结第119-121页
主要结论第121-123页
参考文献第123-135页
攻读博士学位期间撰写和发表的论文第135-137页
致谢第137-139页

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