| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·前言 | 第8页 |
| ·LED光源特点 | 第8-10页 |
| ·LED发展简史 | 第10-12页 |
| ·LED应用 | 第12-14页 |
| ·LED应用存在的问题 | 第14-15页 |
| ·本论文工作和主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 提高LED出光效率的途径 | 第16-23页 |
| ·提高LED发光效率的途径及其进展 | 第16-22页 |
| ·复合效率的提高 | 第16-17页 |
| ·提高外量子效率的途径及其进展 | 第17-22页 |
| ·表面粗化技术 | 第17-18页 |
| ·芯片非极性面/半极性面生长技术 | 第18-19页 |
| ·倒装芯片技术 | 第19页 |
| ·分布布喇格反射层(DBR)结构 | 第19-20页 |
| ·激光剥离技术 | 第20页 |
| ·纳米压印与SU8胶相结合技术 | 第20-21页 |
| ·光子晶体技术 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 垂直结构LED制备工艺过程 | 第23-30页 |
| ·GaN基LED的基本结构 | 第23-24页 |
| ·垂直结构LED芯片制备工艺过程 | 第24-29页 |
| ·光刻 | 第24-25页 |
| ·激光切割Ⅴ形槽 | 第25页 |
| ·P型欧姆电极的制备 | 第25-26页 |
| ·金属衬底制作 | 第26页 |
| ·激光剥离蓝宝石衬底 | 第26-27页 |
| ·N面粗化工艺 | 第27-28页 |
| ·钝化层生长 | 第28页 |
| ·N电极的制备 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 不同工艺制程金属反射电极的研究 | 第30-41页 |
| ·P-GaN欧姆接触基本原理 | 第30-31页 |
| ·欧姆接触的表征 | 第31-32页 |
| ·实验部分 | 第32-40页 |
| ·样品的制备与测试 | 第32-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-38页 |
| ·欧姆接触性能比较 | 第34-38页 |
| ·反射率 | 第38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 垂直结构LED芯片电极Ni/Sn合金背金层制备和性能 | 第41-53页 |
| 前言 | 第41-42页 |
| ·真空蒸镀原理 | 第42页 |
| ·实验部分 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-52页 |
| ·合金熔点确认 | 第43-44页 |
| ·温度对表面形貌的影响 | 第44-47页 |
| ·温度对薄膜粘结性的影响 | 第47-48页 |
| ·材料XRD分析 | 第48-49页 |
| ·薄膜电阻率 | 第49-50页 |
| ·Ni-Sn合金作为垂直结构LED背金层的应用 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |