100A/1200V Si JBS的设计与参数优化
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-12页 |
| 第二章 肖特基二极管 | 第12-21页 |
| ·肖特基结 | 第12-16页 |
| ·肖特基势垒 | 第12-14页 |
| ·稳态特性与电流成分 | 第14-15页 |
| ·肖特基结电流方程 | 第15-16页 |
| ·功率肖特基二极管 | 第16-19页 |
| ·通态压降与击穿电压 | 第17-18页 |
| ·影响肖特基势垒高度的因素 | 第18-19页 |
| ·瞬态响应 | 第19页 |
| ·PiN 二极管 | 第19-21页 |
| 第三章 JBS 器件原理 | 第21-27页 |
| ·JBS 介绍 | 第21页 |
| ·JBS 反向偏置特性 | 第21-23页 |
| ·JBS 正向特性 | 第23-25页 |
| ·JBS 瞬态特性 | 第25-27页 |
| 第四章 JBS 结构的设计 | 第27-36页 |
| ·初步结构的参数设计 | 第27-29页 |
| ·扩散窗口宽度和间距 | 第29-30页 |
| ·终端造型 | 第30-36页 |
| ·场限环 | 第30-33页 |
| ·斜角造型 | 第33-36页 |
| 第五章 JBS 结构仿真与优化 | 第36-66页 |
| ·硅 JBS 初始结构定义 | 第36-37页 |
| ·初始结构电学特性 | 第37-40页 |
| ·单边线性结的处理 | 第40-47页 |
| ·电场分布与耗尽层宽度 | 第41-43页 |
| ·电势分布 | 第43-47页 |
| ·优化设计与最终结构 | 第47-66页 |
| ·初步仿真结果 | 第47-49页 |
| ·调整环宽度 | 第49-55页 |
| ·调整结深 | 第55-61页 |
| ·第三道场限环 | 第61-63页 |
| ·正向特性 | 第63-65页 |
| ·瞬态特性 | 第65-66页 |
| 第六章 工艺及仿真 | 第66-75页 |
| ·工艺简介 | 第66-67页 |
| ·版图设计 | 第67-70页 |
| ·工艺流程与仿真 | 第70-75页 |
| ·工艺流程 | 第70-71页 |
| ·工艺仿真 | 第71-75页 |
| 第七章 总结 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 附录 | 第82页 |
